ZnSe薄膜电沉积工艺条件的研究.pdfVIP

维普资讯 第37卷 第4期 2008年8月 表表面回技投木术 V01．37 No．4 Au2．2008 SURFACE TECHNOLOGY ZnSe薄膜 电沉积工艺条件的研究 缪娟 ，张成光 ，符德学 (1．河南理工大学，河南 焦作 454000；2．焦作大学，河南 焦作 454100) [摘 要] 采用电沉积方法制备了ZnSe薄膜，研究了电沉积工艺参数，包括镀液的主盐离子浓度、配合剂浓度、pH值及电流 密度等对膜层的影响。通过正交试验对上述各参数进行优化，以寻求最佳 的工艺备件 ，得到最佳制备条件为：电流密度6．0mA／ cm，柠檬酸钠14．71g，pH值3．5，Zn ／SeO~一浓度比200：1，温度65~C，时间8min。在此备件下制备了薄膜样品，并用扫描电镜、 EDAX能谱