开关电源变压器屏蔽层抑制EMI的研究.pdfVIP

开关电源变压器屏蔽层抑制共模EMI 的研究 0 引言 电磁兼容（ElectromagneticCompatibility，EMC）是指电子设备或系统在电磁环境下能 正常工作，且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。它包括电磁干扰 （EMI）和电磁敏感（EMS）两方面。由于开关电源中存在很高的di/dt 和du/dt，因此， 所有拓扑形式的开关电源都有电磁干扰的问题。目前克服电磁干扰的技术手段主要有：在 电源的输入、输出端设置无源或有源滤波器，设置屏蔽外壳并接地，采用软开关技术和变 频控制技术等。 开关电源中，EMI 产生的根本原因在于存在着电流、电压的高频急剧变化，其通过导线的 传导，以及电感、电容的耦合形成传导EMI。同而电流、电压的变化必定伴有磁场、电场 的变化，因此，导致了辐射EMI。本文着重分析变压器中共模传导EMI 产生的机理，并以 此为依据，阐述了变压器中不同的屏蔽层设置方式对共模传导EMI 的抑制效果。 1 高频变压器中传导EMI 产生机理 以反激式变换器为例，其主电路如图1 所示。 开关管开通后，变压器一次侧电流逐渐增加，磁芯储能也随之增加。当开关管关断后，二 次侧整流二极管导通，变压器储能被耦合到二次侧，给负载供电。 图1 反激变换器 在开关电源中，输入整流后的电流为尖脉冲电流，开关开通和关断时变换器中电压、电流 变化率很高，这些波形中含有丰富的高频谐波。另外，在主开关管开关过程和整流二极管 反向恢复过程中，电路的寄生电感、电容会发生高频振荡，以上这些都是电磁干扰的来源。 开关电源中存在大量的分布电容，这些分布电容给电磁干扰的传递提供了通路，如图2 所 示。图2 中，LISN 为线性阻抗稳定网络，用于线路传导干扰的测量。干扰信号通过导线、 寄生电容等传递到变换器的输入、输出端，形成了传导干扰。变压器的各绕组之间也存在 着大量的寄生电容，如图3 所示。图3 中，A、B、C、D4 点与图1 中标识的4 点相对应。 图2 反激式开关电源寄生电容典型的分布 图3 变压器中寄生电容的分布 在图1 所示的反激式开关电源中，变换器工作于连续模式时，开关管VT 导通后，B 点电位 低于A 点，一次绕组匝间电容便会充电，充电电流由A 流向B;VT 关断后，寄生电容反向 充电，充电电流由B 流向A。这样，变压器中便产生了差模传导EMI。同时，电源元器件 与大地之间的电位差也会产生高频变化。由于元器件与大地、机壳之间存在着分布电容， 便产生了在输入端与大地、机壳所构成回路之间流动的共模传导EMI 电流。 具体到变压器中，一次绕组与二次绕组之间的电位差也会产生高频变化，通过寄生电容的 耦合，从而产生了在一次侧与二次侧之间流动的共模传导EMI 电流。交流等效回路及简化 等效回路如图4 所示。图4 中：ZLISN 为线性阻抗稳定网络的等效阻抗；CP 为变压器一次 绕组与二次绕组间的寄生电容；ZG 为大地不同点间的等效阻抗；CSG 为输出回路与地间的 等效电容；Z 为变压器以外回路的等效阻抗。 图4 变压器中共模传导EMI 的流通回路 2 变压器中共模传导EMI 数学模型 以图3 所示的变压器为例，最上层一次绕组与二次绕组间的寄生电容最大，是产生共模传 导EMI 的主要原因，故以下主要分析这两层间分布电容对共模传导EMI 的影响，忽略变压 器其他绕组对共模传导EMI 的影响。 设一次绕组有3 层，每层m 匝，二次绕组仅一层，为n 匝。当变压器磁芯中的磁通发生变 化，便会同时在一次侧和次级产生感应电动势。根据叠加定理，可认为这是仅一次绕组有 感应电动势、二次绕组电动势为零和仅二次绕组有感应电动势、一次绕组电动势为零两种 情况的叠加。仅一次绕组有感应电动势、二次绕组电动势为零的情况如图5 所示。图5 中： e1 为每匝一次绕组的感应电动势；C1x 为一匝最外层一次绕组与二次绕组间的寄生电容。 图5 仅一次绕组有感应电动势的情况 在此情况下，由一次侧流向次级的共模电流为： 在仅二次绕组有感应电动势、一次绕组电动势为零的情况如图6 所示。图6 中：e2 为每匝 二次绕组的感应电动势；C2x 为一匝二次绕组与一次绕组最外层间的寄生电容。 图6 仅二次绕组有感应电动势的情况 在此情况下，由次级流向一次侧的共模电流为： 根据叠加原理，可得在一次侧最