第二章 高频小信号放大器.ppt

第二章 高频小信号放大器 本章内容和重点、难点： 1、晶体管的高频等效电路 2、单调谐放大器（重点） *电路的组成 *电路的特性指标 *多级单调谐放大器的特性 3、非谐振回路式（宽带）高频小信号放大器 §2.1 概论 一、作用 二、特点： 1、工作频率高 2、频带放大器 3、晶体管工作在线性范围 4、常用谐振回路作负载 三、分类： 1、按照所用器件分类 2、按照通过频谱的宽窄分类 3、按照电路形式分类 4、按照放大器所用负载的性质分类 四、主要质量指标 1、中心频率 2、增益:电压增益、功率增益 3、通频带 4、选择性 5、工作稳定性 6、噪声系数 4. 选择性 ： 从各种不同频率信号的总和（有用的和有害的）中选出有用信号，抑制干扰信号的能力称为放大器的选择性，选择性常采用矩形系数和抑制比来表示。 ① 矩形系数 ： 按理想情况，谐振曲线应为一矩形。即在通带内放大量均匀。在通带外不需要的信号得到完全衰减。但实际上不可能，为了表示实际曲线接近理想曲线的程度，引入“矩形系数”，它表示对邻道干扰的抑制能力。 矩形系数 2 Δ f 0.1 为放大倍数下降至 0.1 处的带宽， K r 愈接近于 1 越好。 ② 抑制比 ： 表示对某个干扰信号 f n 的抑制能力，用 d n 表示。 图 ：理想的与实际的频率特性 图： 对 f n 的抑制能力 用分贝表示： d n (dB) = 20 lgd n 。 A n 为干扰信号的放大倍数， A v0 为谐振点 f 0 的放大倍数。 例 A v0 = 100 A n = 1 5. 工作稳定性 ： 指在电源电压变化或器件参数变化时，以上三参数的稳定程度。一般的不稳定现象是增益变化，中心频率偏移、通频带变窄等，不稳定状态的极端情况是放大器自激，以致使放大器完全不能工作。 为使放大器稳定工作，必须采取稳定措施，即限制每级增益，选择内反馈小的晶体管，应用中和或失配方法，采取必要的工艺措施等。 §2.2 晶体管高频小信号等效电路与参数 说明： 在“低频电路”里，我们采用低频 h 参数及其等效电路对晶体管低频放大器进行了分析，在那里忽略了晶体管高频运用的内部物理现象，现在，当我们分析晶体管高频放大器时，就必须采用一种能够反映晶体管在高频工作时的高频参量及其等效电路。 晶体管在高频运用时，它的等效电路不仅包含着一些和频率基本没有关系的电阻，而且还包含着一些与频率有关的电容，这些电容在频率较高时的作用是不能忽略的。 在电路分析中，“等效电路”是一种很有用的方法，晶体管在高频运用时，它 的等效电路主要有两种表示方法： 物理模拟等效电路（混合 π等效电路） 形式等效电路（Y参数等效电路） 。 2.2.1 共发射极混合π型等效电路 一、混合π型等效电路： 若把晶体管内部的复杂关系，用集中元件 RLC 表示，则每一元件与晶体管内发生的某种物理过程具有明显的关系。用这种物理模拟的方法所得到的物理等效电路就是所谓混合 π等效电路。 晶体管结构示意图及其等效电路 各元件参数的物理意义和数值 （1）基区电阻rbb,:指从基区引线到有效基区间的电阻（几十～一百Ω）。 从晶体管内部结构可知，从基极外部引线 b 到内部扩散区中某一抽象点 b ′ 之间，是一段较长而又薄的 N 型半导体（或 p 型），因掺入杂质很少，因而电导率不高，所以存在一定体积电阻，故在 b- b ′ 之间，用集总电阻 r b b ′ 表示。发射区和集电区掺入杂质多，电导率高，电阻很小，故可略去其体积电阻。不同类型的晶体管， r b b ′的数值也不一样。 r b b ′ 的存在，使得输入交流信号产生损失，所以 r b b ′ 的值应尽量减小，一般 r b b ′ = 15 — 50 ?。 各元件参数的物理意义和数值 （2） --有效基极到发射极间的电阻，指发射结电阻re折合到基极回路的等效电阻，又叫发射结的结电阻。 晶体管放大时，发射结总工作在正向偏置，所以 较小，一般为几百? 。 (3)发射结电容： --包括发射结的势垒电容CT和扩散电容CD 由于发射结正偏，主要是扩散电容。（100～500PF） （4） --集电结电容，包括集电结势垒电容CT和扩散电容CD，因集电极反偏，主要为势垒电容CT-（2～10PF） （5）rb’c—集电结电阻，因集电结处反偏，rb’c较大，100KΩ-10MΩ （6）等效电流发生器 g m U b ′e ： 是表示晶体管放大作用的 当在 b ′到 e 之间加上交变电压U b ′e 时，对集电极电路的作用就相当于有一电流源g m U b ′e 存在。