第二章 PN结.ppt

微电子器件与IC设计 第 2 章 PN 结 第 2 章 PN 结 2.1 PN结的形成及空间电荷区 2.2 PN结直流V-I特性 2.3 PN结电容 2.4 PN结击穿 2.1 PN结的形成及空间电荷区 2.1.1、PN结的形成及类型 1、PN 结含义： 在一块N型（或P型）半导体单晶上，用特定的工艺方法把P型（或N型）杂质掺入其中，使这块单晶相连的二个不同区域分别具有N型和P型的导电类型，在二者交界面的过渡区即称为PN结。 半导体二极管 2.1.1、PN结的形成及类型 2、PN结的类型 (1)、突变结 单边突变结 P＋N结 N＋P结 2.1.1、PN结的形成及类型 (2)、缓变结 2.1.1、PN结的形成及类型 (3)、实际PN结近似 缓变PN结附近杂质浓度有两种近似处理方法 A。线性缓变结近似 B。突变结近似 2.1.1、PN结的形成及类型 线性缓变结近似 适用于表面杂质浓度较低、结深较深的缓变结 2.1.1、PN结的形成及类型 突变结近似 适用于表面杂质浓度较高、结深较浅的缓变结 2.1.2、空间电荷区 2.1.3、平衡PN结能带图 （没有外加偏压） 2.1.3、PN结能带图 平衡PN结能带图 空间电荷区又称 势垒区 耗尽层 2.1.4、PN结内建电势差 2.1.4、PN结内建电势差 2.1.4、PN结内建电势差 2.1.5、平衡PN结载流子浓度分布 势垒区本征费米能级 随x的变化 （1）空间电荷区内的载流子浓度 （2）空间电荷区边界的少数载流子 浓度 2.2 PN结直流V-I特性（肖克莱方程） 非平衡PN结 处于一定偏置状态下的PN结称为非平衡PN结。 当P区接电源的正极，N区接电源的负极，称为正向PN结。反之，则称反向PN结。 外加电压基本降落在势垒区 2.2.1、正向PN结 （1）势垒的变化 正向电压使 势垒区宽度变窄、 势垒高度变低 外加电场与内建电场方向相反 ? 空间电荷区中的电场减弱 ? 破坏扩散与漂移运动间的平衡 扩散运动强于漂移运动 ? 注入少子 ? 注入的少子边扩散边复合 2.2.1、正向PN结 （2）正向PN结中载流子的运动 电流在 N 型区中主要由电子携带 电流在 P 型区中主要由空穴携带 通过 PN 结的电流在扩散区内实现电流载体转换 2.2.2、反向PN结 （1）反向PN结的少子抽取 反向电压使 势垒区宽度变宽 势垒高度变高 外加电场与内建电场方向相同 增强空间电荷区中的电场 破坏扩散漂移运动平衡 漂移运动强于扩散运动 抽取少子 2.2.2、反向PN结 (2)反向PN结中载流子的运动 2.2.3 非平衡PN结的能带图 （1）正偏 （2）反偏 2.2.4、V-I 特性方程 1、理想PN结模型 （1）小注入。即注入的非平衡少数载流子浓度远低于平衡多子浓度,即掺杂浓度。 （2）外加电压全部降落在势垒区，势垒区以外为电中性区。 （3）忽略势垒区载流子的产生-复合作用。通过势垒区的电流密度不变。 （4）玻尔兹曼边界条件。 （5）忽略半导体表面对电流的影响。 2.2.4、V-I 特性方程 2.坐标 以xn、xp为坐标原点分别建立坐标系。 步骤： 求解“非少子”的扩散方程 →求“非少子”浓度的边界值 →求“非少子”浓度梯度 →分别求电子、空穴的扩散电流密度 →求PN结电流 2.2.4、V-I 特性方程 2.2.4、V-I 特性方程 2.2.4、V-I 特性方程 2.2.4、V-I 特性方程 2.2.4、V-I 特性方程 单边结近似 对于P+N结 NAND 对于N+P结 NDNA 2.2.5.V-I特性方程的补充（3 — 5为实际PN结的情况） （1） （2） （3）小电流下，正向电流比理论值大；要考虑势垒复合电流的影响。 （4）大电流下，正向电流比理论值小，势垒区以外存在大注入自建电场。 （5）反向电流比理论值大；要考虑表面漏电流及势垒产生电流JG的影响。 （6）当T升高时，JF增大，JR增大。 2.3 PN结电容 2.3.1.势垒电容 1、势垒电容的来源 当外加电压周期性变化时，载流子则周期性地流入或流出势垒区，相当于电容周期地充电、放电，这就是PN结势垒电容。 2.3.1.势垒电容 2、突变结势垒电容计算 2.3.1.势垒电容 3、势垒电容的讨论 （1）PN结势垒电容和平板电容不同，是非线性电容 （2）PN结在正偏，零偏及反