第7章+晶体管及其放大电路.ppt

Rf1和Rf2引入级间直流负反馈 Re1引入级间交、直流负反馈 (b) Re1引入交流反馈组态：电流串联负反馈 R1和R2引入级间交、直流负反馈 (d) R1和R2引入交流反馈组态：电压串联负反馈 电阻R2引入交、直流负反馈 (a) R2引入交流反馈组态：电压并联负反馈 例 求：(1)大环反馈组态； (2)二、三级局部组态； 闭环互阻增益 闭环电压增益 在深度负反馈条件下，利用虚短和虚断可知 解： (1)电压并联负反馈 (3)深度负反馈下大环的闭环电压增益 。 (2) T2 的R 1　电流串联负反馈 T2和T3级间R 1 、R 2电流串联 正反馈 (3) vo ii if + _ 例 求：(1)判断反馈组态； 闭环电压增益 (2)在深度负反馈条件下，利用虚短和虚断可知 解： (1)电压串联负反馈 (2)深度负反馈下大环的闭环电压增益 。 end （反馈） (2)或者根据虚短虚断列方程直接求电压增益。 作业：7.1, 7.15, 7.16, 7.18, 7.20, 7.21, 7.24, 7.26 7.27, 7.33 补充题 设图示电路的开环增益Avo很大。 (1)指出所引反馈的类型） (2)写出输出电流io的表达式 (3)说明该电路的功能。 3．低频电压增益 共射放大电路： 完全等效电路： 在输入低频电压信号作用下，极间电容因容抗大而视为开路， 主要考虑耦合电容和旁路电容C1、C2、Ce对放大电路性能的影响。 由完全等效图直接来求低频电压增益表达式会比较麻烦，因此，需要作一些合理的近似。 完全等效电路： 完全等效电路的化简： 假设由Rb(=Rb1//Rb2)远大于放大电路的输入阻抗，即 再假设Ce的值足够大，以至于在低频范围内，它的容抗足够小，远小于Re的值，因此可以忽略Re的影响， 式中， 令： 则低频电压增益表达为： 有fL1和fL2两个转折频率。如果这两个转折频率的比值在四倍以上，通常取大的那个作为放大电路的下限频率fL。 4．共射放大电路的全频域响应 综合成一个表达式: 全频域响应 的对数幅频特性和相频特性的表达式为: 当ffL时，是频率响应的低频区， 当fLffH时，是频率响应的中频区， 当ffH时，是频率响应的高频区， 共射极放大电路的全频响应波特图: 由图看出，放大电路在中频区增益最大。 5．增益带宽积 对于大多数放大电路，fH fL，故通频带宽BW为 增大通频带宽必须减小 提高增益必须增大 ，增益和带宽2者对 的要求互相抵住， 不可兼得，只能根据实际要求进行折中。 例7.7 在下图所示的共射极放大电路中，已知VCC=12V，Rs=1KΩ，Rb1=100 KΩ，Rb2=16 KΩ，Re=1KΩ，Rc= RL =5KΩ；晶体管是硅管，rbb?=100Ω，β0＝100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，C1=20uF，C2=1uF，Ce=50uF，试计算该电路的中频电压增益及上限频率和下限频率。 解：（1）静态分析 （2）求解混合π模型中的参数 （3）求解中频电压增益 得中频源电压增益： （4）求解fH和fL 与 的比值大于4，因此取下限频率取 。 *7.6.4 共集电极放大电路的频率响应(略) 由于受密勒效应的影响，共射极放大电路的通频带宽较窄。 为了增加带宽，就必须减小或消除密勒效应。 共集电极放大电路和共基极放大电路能满足这样的要求。 由于通频带宽主要取决于上限频率，所以在共集电极放大电路和共基极放大电路的频率分析中，只介绍高频响应。 共集放大电路 共集放大电路的高频小信号等效电路 Cμ只接在输入回路中，所以不会产生密勒效应。 电阻和电容是跨接在输入端和输出端之间的，因而会产生密勒效应。 但是，因为共集电极放大电路的电压增益近似为1，即密勒效应很小。 因此，共集电极放大电路的高频响应特性也较好，上限截止频率高。 基极偏置电阻Rb远大于放大电路的输入电阻Ri，忽略基极偏置电阻Rb的分流作用，则 所以，高频电压增益为 令： 则： 例7.8 在下图所示的共集电极放大电路中，已知VCC =12V，Rb=300k?，Re =RL=2k?，Rs=1k?；晶体管是硅管，rbb?=100Ω，β0＝100，fT=400MHz，Cob=0.5pF，C1=20uF，C2=1uF，Ce=50uF，试计算该电路的中频电压增益和上限频率。 解：（1）静态分析 （2）求解混合π模型中的参数 （3）求解中频电压增益 得中频源电压增益： （4）计算上限频率和零点频率 小者作为上限频率，即 。 对比例7.7可知