电子线路前两章改.ppt

第一章：晶体二极管 流与漂移电流同时存在,而其内建电场的形成是由不能移动的带电离子形成的. 1.2 半导体PN结 在P型(N型）半导体中，用杂质补偿的方法将其中一部分转换为N型（P型）， 形成PN结，制造工艺有平面扩散法（高温）等。 一、动态平衡下的PN结： 1、阻挡层的形成：N型半导体中，施主杂质典礼后，形成大量的自由电子和 施主正离子，由于正离子受电子覆盖而处处保持电中性，P型半导体同样 受主负离子受空穴覆盖而处处保持电中性，而在P型和N型界面两侧明显 存在自由电子和空穴的浓度差异，N区中的自由电子向P区扩散，与P区空 穴复合； P区中的空穴向N区扩散，与N区自由电子复合，这样在PN结界 面附近形成少量不受自由电子和空穴覆盖的正负离子，即形成空间电荷区， 又叫阻挡层（势垒区，耗尽区），并产生由N区正离子指向P区负离子的 内建电场，如下图1-3所示： P区 ︱ 空间电荷区 ︱ N区 空间电荷区以外的P区和N区仍处于热平衡状态且保持电中性。 内建电场是由扩散运动产生，却反过来阻碍扩散运动，另一方面又促进N 区少子空穴向P区漂移以及P区少子自由电子向N区漂移，内建电场E最初较 弱，扩散是主要的，随着E的加强，漂移运动加强，最终漂移运动与扩散 运动达到动态平衡，漂移电流与扩散电流相互抵消，通过PN结的净电流为 零。 2、内建电位差：达到动态平衡时，内建电场E产生的电位差称为内建电位差。 用VB表示，由半导体物理费米能级知识推得动态平衡时： VB≈VT㏑（Na·Nd / Ni2） ---------------------------------（P13—1） 式中 VT =K ·T/q，常温下（即T=300K）是26mv，称为热电压。 上式表明，PN结两边的掺杂浓度Na、Nd越大，Ni越小， VB就越大，锗的 Ni大于硅，因而硅的VB大于锗，常温下锗的VB≈0.2—0.3V, 硅的VB ≈0.5— 0.7V。温度升高VB减小（温度升高，Ni增大影响比VT大），温度每升高 10C， VB约减小2 .5mV。 3、阻挡层宽度：如果结面积为S，PN结内空间电荷区两侧宽度为Xp和Xn 则 P区一侧负电荷量Q-= -qSXpNa N区一侧正电荷量Q+= qSXnNd 两边电荷量相等，因而Xn/ Xp= Na/ Nd ，阻挡层主要向低掺杂区扩展，动 态平衡下，阻挡层的宽度是可以计算的。 由高斯定理 ∮D·d A=Q 其中Q为闭合积分面内总电荷，D=εE ε为介电常数， d A为积分面元。以N区一侧为例： ∮D·d A=∫ D·d A + ∫ D·d A + ∫ D·d A 耗尽层内底面 柱体侧面 中性N区底面 第二、第三个积分为零，第一个积分在耗尽层内x处，对面积为一的面元 积分得： εE= qNd（Xn – x） 面积S为 1 。同理P区 εE= qNa（ x + Xp ） 最大电场强度在x=0处（PN结交界处） εEmax= qNdXn= qNa Xp ……(1) 内建电位差VB= ∫E dx=Emax(Xn+ Xp)/2 = EmaxL0/2 ……(2) 由(1)式和(