电子电路2008下半年.ppt

请画出下面电路在正弦信号作用下的输出波形。 请画出下面电路在正弦信号作用下的输出波形。 请画出下面电路在正弦信号作用下的输出波形。 一.BJT的结构 二． BJT的内部工作原理（NPN管） 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 （1）因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 （2）发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 （3）因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 2. 输出特性曲线 输出特性曲线 输出特性曲线总结 四. BJT的主要参数 测得某放大电路中三极管三个管脚对地电位分别是2V、2.7V、5V，则可判断该管的材料是 硅 和管型 NPN ，5V电位对应的管脚是 集电 极， 2V电位对应的管脚是 发射极 极，2.7V电位对应的管脚是 基 极。 测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为12.2V,12V,0V, 则可判断该管的材料是 锗 和管型为 PNP ，0V电位对应的管脚是集电 极。12.2V电位对应的管脚是发射 极。12V电位对应的管脚是基 极。 例3.1.1：判断三极管的工作状态 讨论：电路参数变化对Q点的影响 电路参数变化对Q点的影响 电路参数变化对Q点的影响 2. 静态分析 例3.2.1：电路及参数如图，求Q点值 例3.2.1 例3.2.2：电路及参数如图，求Q点值 (2) 静态工作点的图解分析 图解分析 交流负载线 交流负载线 最大不失真输出 三极管共射简化h参数等效电路 3.2.3 基本共射电路分析计算 1. 计算电压放大倍数Av 2. 计算输入电阻 Ri 3. 计算输出电阻 Ro 计算输出电阻 Ro 例3.2.3：求Av ，R i，Ro 例3.2.3 例3.2.3 例3.2.4： 通频带 3.4.2 基本共射电路的频率响应 1. 中频段 2. 高频段等效电路 3. 低频段等效电路 4. 全频段总电压放大倍数 放大电路的增益带宽积 3.输入电阻较大，作为前一级的负载，对前一级的放大倍数影响较小且取得的信号大。 放大电路的增益A( f ) 是频率的函数。在低频段和高频段放大倍数都要下降。当A( f )下降到中频电压放大倍数A0的 1/ 时，即: 相应的频率: fL称为下限频率 fH称为上限频率 f A 耦合电容造成 三极管结电容造成 采用直接耦合的方式可放大缓慢变化的信号，扩大通频带。下面将要介绍的差动放大器即采用直接耦合方式。 阻容耦合电路缺点：不能放大直流信号。 阻容耦合电路的频率特性 对于图示的共发射极接法的基本放大电路，分析其频率响应，需画出放大电路从低频到高频的全频段小信号模型。 然后分低、中、高三个频段加以研究。 中频时:C1、C2 、Ce容抗较小，可视为短路； Cπ’容抗较大，可视为开路。等效电路如图。 Rb’= Rb1// Rb2 Ri=Rb ‘ // rbe Ro=Rc 显然这是一个RC低通环节 将全频段小信号模型中的C1、C2和Ce短路，即可获得高频段小信号模型微变等效电路，如图所示。 低频段的微变等效电路如图所示，C1、C2和Ce被保留，C?被忽略。显然，该电路有 三个RC电路环节。 当Re1/?Ce时，在射极电路中，可忽略Re，只剩下Ce 全频段总电压放大倍数的复数形式为: 如果两个下限频率fL1 、 fL2相差4倍以上，可取大者作为电路的下限截止频率fL1，否则只能按定义求fL 所以，三极管一旦选定，带宽增益积就确定下来，放大倍数增大多少倍，带宽就减少多少倍 测量得到三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 晶体管放大器实现放大的条件。 放大元件iC=? iB，工作在放大区，要保证集电结反偏，发射结正偏。 ui uo 输入 输出 参考点 RB +EC EB RC C1 C2 T 实现放大的条件 1. 晶体管必须偏置在放大区。发射结正偏，集电结反