模电课件第三章三极管及放大电路.pptVIP

第三章半导体三极管及放大电路基础 3、分类 ①发射区向基区发射电子 因浓度差，且在JE正偏下，电子扩散运动产生IE。 电子在基区扩散与复合—复合的空穴产生IB （复合少扩散 多），复合的空穴由VBB提供，形成基极电流IB，由基极流入、发射极流出，形成输入回路中的电流。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E ≈ I EN 。 进入P区的电子少部分与基区的空穴合形成电流IB,基区很薄,多数电子很快扩散到集电结。 3、BJT的放大作用（P.71～72） 2 输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。 3. 输出特性曲线可以分为三个区域: 怎样判断BJT电路处于什么工作状态？（以NPN型硅管为例） 四、BJT的主要参数（P.76～81） 半导体三极管的型号 3.2 共射极放大器 电路放大的条件是： 1)发射结正向偏置， 2)集电结反向偏置。 二．三极管的放大原理 三极管工作在放大区： 发射结正偏， 集电结反偏。 不设置静态工作点的工作情况 由此可见，在交流放大电路中，如果不设置合适的静态工作点，就不能正常放大交流信号（失真）。 1)估算法 四、如何判断放大电路具有放大功能 利用BJT的输入、输出特性曲线求放大电路的静态工作点Q。 举例：P.142，T3.3.4 2、带负载电阻的情况 三、电路参数确定之后，求输出最大波形（最大不失真幅度） 3.4 小信号模型分析法（P.92） 二、用H参数小信号模型分析共射极基本放大电路（P.97—101） 例2:P.143 T3.4.2 3.5 放大电路的工作点稳定问题 二、解决的办法 ② 求 ③ 求输入电阻Ri 三、固定偏置与分压式偏置共射放大电路比较 例4:P.146 T3.5.5 3.6 共集电极电路和共基极电路 (2) 求输入电阻Ri 3、动态分析 ①画交流通路和小信号等效图，求AV。 二、复合管（P.110～111） 2、复合管的β值和rbe 三、共基极放大电路（P.111～113） 四、三种基本放大电路组态的比较（P.113～115）见P.114表3.6.1 3.7 放大电路的频率响应 由上式得到高频区的AVH和相角φH分别为： 二、RC高通电路的频率响应（分析方法同前，见P.118～119） 多级放大电路（补充内容） 2、阻容耦合（常用于普通电子设备中） 将放大电路的前级输出端通过电容接到后级输入端，称为“阻容耦合”。 3、变压器耦合（常用于高频或需要严格的阻抗匹配的场合） ㈡求AV，先画微变等效图： 作业：P.24—T1.2.5；P.150—3.7.1；3.7.2； 例3:P.146 3.5.3 射极偏置电路和BJT的输出特性曲线如图题3.5.3所示，已知β＝60。（1）分别用估算公式和图解法求Q点；（2）求输入电阻rbe ；（3）用小信号模型分析法求电压增益AV；（4）求输出电压最大不失真幅度；（5）若电路其他参数不变，如果要使VCE＝4V，问上偏置电阻为多大？ 解：（1）估算法： VB＝VCCRb2/(Rb1＋Rb2)＝16×20÷(60＋20)＝4V VE＝VB－VBE＝4－0.7＝3.3V IE＝VE / Re＝3.3÷2kΩ＝1.65mA≈IC IB＝IC /β＝1.65÷60＝27.5μA VCE ＝VCC－（RC + Re）IC ＝16－（3 + 2）×1.65 ＝7.75V （2）rbe＝200＋（1＋β）×26mV/IE ＝200＋（1＋60）×26mV÷1.65≈1.2kΩ 作图法见图（b）。作直流负载线A（0，16V），B（16/5，0），过IC＝1.65mA作水平线交AB于Q点，过Q点作垂线，得VCE＝7.8V，IB≈28μA。 （2）小信号等效图见图（c），（3）求电压增益AV RL’＝RC//RL＝3×6÷(3＋6)≈2kΩ； AV＝－βRL’/ r be＝－60×2÷1.2≈－100 （4）求输出电压最大不失真幅度 过Q点作斜率为－1/RL’的直线MN，OP＝VCE＝4V＞PN＝V om ∵ QP／PN＝tg（180°－θ）＝－tgθ＝－（－1/ RL’）＝1/ RL’ ∴ V om＝PN＝QP× RL’ ＝IC × RL’ ＝1.65×2＝3.3V （