磁控溅射+WO+3薄膜的制备及其+NO+2气敏特性研究.pdfVIP

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2015-08-07 发布于湖北
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磁控溅射+WO+3薄膜的制备及其+NO+2气敏特性研究.pdf

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磁控溅射+WO+3薄膜的制备及其+NO+2气敏特性研究.pdf

年第期( )卷０７１１８２０１５７４６文章编号: ( ) １００１-９７３１２０１５０７-０７１１８-０４磁控溅射WO３薄膜的制备及其NO２气敏特性研究∗ , , , , , , 沈岩柏范安锋张宝庆曹先敏魏德洲刘文刚高淑玲 ( , ) 东北大学资源与土木工程学院沈阳１１０８１９ : , . 摘要采用直流反应磁控溅射法在室温条件下通成为当前及今后科研工作者的研究重点　　 , 过改变放电气体压强制备出具有不同膜密度的WO３薄本文采用直流反应磁控溅射法在室温条件下通 . , 膜结构表征结果表明由单斜晶WO３纳米颗粒组成过改变放电气体压强制备出了具有不同膜密度的 , , , ( )、的薄膜具有层状结构随着放电气体压强的增加膜密薄膜并利用射线衍射扫描电子显微 WO３ X XRD . , ( ) ; 度呈下降趋势气敏特性研究结果表明由WO３薄膜镜 SEM 和膜密度测定对薄膜进行了结构表征随后制备而成的气体传感器在工作温度为２００ ℃时获得对将这些 WO３薄膜沉积在电极上制备成气体传感器元 , , NO２气体的最大灵敏度并在５０~３００ ℃的工作温度范件考察了其在不同工作温度和 NO２浓度条件下的气 . , . 围内对NO２气体均展现出良好的气敏特性在相同的敏特性并分析了气体灵敏度与膜密度之间的关联性 , . 检测条件下气体灵敏度随着膜密度的减少而增加２　实验材料和方法 : ; ; ; ; 关键词　WO３薄膜磁控溅射 NO２气敏特性中图分类号: 文献标识码: 薄膜样品的制备　TN３０４．９２ A ２．１　 : / , DOI １０．３９６９．issn．１００１-９７３１．２０１５．０７．０２６j 采用直流反应磁控溅射法首先在表面洁净的氧 , 化硅基片