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维普资讯 C60作为石英衬底过渡层气相生长金刚石薄膜 411105 湘潭大学物理系 杨国伟 7四， 河南省基础与应用科学研究所 盎星’何金田 张兵临 7 移 合肥工业大学 毛友德 摘要 本文采用微波等离子体化学气相沉积方法(MWPCVD)，以(膜作为过渡层，在 石英(si。2)衬底表面，首次在等离子体预处理中元衬底负偏压条件下生长出全刚石晶粒。通 过扫描 电镜观察到金刚石晶粒呈菜花状，生长表面为(100)晶面。 ABSTRACT ItisdifficulttoachievediamondnucleionSiozsubstratesurfacebychemical vapordeposition．Inthispaper，anew methodfordiamondnuclNonsio2surfaceusingC6ofilms astheinfermediatelayershasbeendescribed Highqualitydiamondgrainshavebeendepositedon si02surfacewithouthighersubstratesnegative biasofthepretreatmentfpriorot diamond gmwth)bymicrowaveplasmachemicalrepotdeposition．Thediamoridgrainsofthedeposited filmsareaculiflower—likesmallcrystallinaggregates，andthesurfacemorphologiesofthedeposited filmsBremainlydiamond(ioc facesunderSEM ． 主题词 瑚’【互薹 圭坚 垒型歪曼壁 碳 占o ／y1“／Pc KEYWORDS ( SiO2 intermediate diamondflim ： 1 引言 中需要在等离子体预处理中加较大的村底负 金刚石薄膜是近年来发展的一种新型功 偏压(一200V 一300V)，但是，大的负偏压 能薄膜材料，与金刚石颗粒状材料相比，金刚 条件下等离子体轰击会 重损伤光学衬底表 石薄膜在光学和微电子学领域有着更为重要 面 J。本文提出一种新方法即本加负偏压 的应用价值…，尤其是对于红外光学和强激 的预魁理方法， G 膊为避鹱屡。在石英衬 光领域它是一种优异的窗12／材料2【)。石英 底上成功地生长l出盘附石晶粒。 *湖南省 自然科学基金资助项 目 图1 微波等离子体 CVD装置 维普资讯 6 金刚石与磨料磨具工程) 裹 l 玩稂条件 5％，微波输蹦功率约300W 的等离子体轰击 R~ctionp ．1Sul~ratet lc ratioa~almt lGrowthme 衬底表面数分钟．即对衬底进行等离子体预 35(Tcor)l 85fl℃ l I(％) l 4(h) 处理。第三步，生长金刚石。预处理数分钟 面蒸镀 0膜。瑚1【膜的制备在真空镀膜机中 后，将沉积条件调整为MWPCVD生长金剐 进行．制备条件：真空压强 10一Tort．燕发温 石薄膜的标准条件，如表 1所示，进行金刚石 度450℃，衬底温度200℃。蒸发速率和膜厚 薄膜生长。经上述实验程序生长出的样品 通过石英振荡监厚仪进行监控。然后将蒸镀 膜，经 Raman光谱测试，其 Raman谱在 有数千埃 c6o膜的石英衬底从镀膜机中取 1332cm 处均出现尖锐峰，用 1000倍金相 出，放人图1中反应腔的衬底架上。第二步， 显微镜(