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12V逆变器(直流12V转交流220逆变器)的原理及制作过程  jK |e1H7ED0这里介绍的逆变器（见图）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。-sne$TF n#G0? 12V逆变器电路图 ??? 逆变器电路图如下图所示: 19楼空间)]e5y;s i h$nz9p*[? [img]/UploadFiles/2009527162339970.jpg[/img] he
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f012V逆变器原理 w,BK K\$F$F0这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 obt}!fAe _3o0? 方波信号发生电路（见图3）+widR8[ mJ/p`L7W0[img]/UploadFiles/2009527162416677.gif[/img]/`%~ z
vs;mf m g0? 19楼空间|4M/_L8h-|6}:b%j?图3 ??? 这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器，输入端接地避免影响其它电路。 场效应管驱动电路 19楼空间 O Tp)Z mW)R[img]/UploadFiles/2009527162520510.gif[/img]19楼空间5brq`^RyT? 19楼空间y$V_t:O
YX x图4 ??? 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大幅度为~5V，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V。如图4所示。 MOS场效应管电源开关电路 HqjL`m2QJ%[)F0??? 这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。 ?[img]/UploadFiles/2009527162547139.gif[/img] 图5 ???? MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS 场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。 ?[img]/UploadFiles/2009527162613527.gif[/img] 图6 ??? 为解释MOS 场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。 ?[img]/UploadFiles/2009527162630195.gif[/img] ???????????????????????????????????????????? 图 7a?????????????????????????????????????????????????????????????????? 图7b ??? 对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，