02340自考浙江省2005年4月线性电子电路试题.docVIP

超越60自考网 浙江省2005年4月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 一、填空题(每小题2分，共20分) 1.P型半导体中多数载流子为__________，少数载流子为__________。 2.PN结的反向击穿有__________和__________两种击穿。 3.三极管工作在饱和状态时，其发射结__________，集电结__________。 4.当某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在__________区，集电极电流和基极电流关系是__________。 5.场效应管的导电过程仅仅取决于__________载流子的运动；因而它又称做__________器件。 6.在场效应管放大电路中，就VGS而言，__________型MOS管是单极性的，而__________型MOS管可以是双极性的。 7.放大器的失真分为__________失真和__________失真两大类。 8.在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移__________，而直接耦合放大电路的零点漂移__________。 9.共发射极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________，共基极放大电路输出电压Uo与输入电压Ui的相位关系是__________。 10.设计一个负反馈放大电路，要使输入电阻增大应引入__________型负反馈，若要稳定输出电压应引入__________型负反馈。 二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分) 1.杂质半导体中少数载流子浓度( )。 A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关 C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关 2.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量( )。 A.IB B.VCE C.VBE D.IC 3.若三极管的发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为( )mA。 A.0.98 B.1.02 C.1.2 D.0.8 4.N沟道JFET管的电路符号为( )。 5.场效应管是( )器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电流 D.电压控制电压 6.在差动式放大电路中，共模输入信号等于两个输入端信号的( )。 A.和值 B.差值 C.平均值 D.乘积值 7.由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC,-VCC为电源电压，则可判断该三极管处于( )。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.击穿状态 8.希望放大器具有大的输入电阻和稳定的输出电流，应引入( )负反馈。 A.电压串联 B.电压并联 C.电流串联 D.电流并联 9.共集电极电路信号从( )。 A.基极输入，集电极输出 B.发射极输入，集电极输出 C.基极输入，发射极输出 D.发射极输入，基极输出 10.集成运算放大电路的输入级通常采用( )电路。 A.共集电极放大 B.共发射极放大 C.差动放大 D.共基极放大 三、简答题(每小题5分，共15分) 1.试分析图三(1)所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交 流信号均可视为短路。 2.电路如图三(2)所示，已知MOS管的μnCox()=250μA/V2,VGs(th)=2.0V,试求ID,VGS,VDS的值。 3.图三(3)所示为某场效应管的转移特性，请说明其属于何沟道、何种类型?并指出它的VGS(th)或VGS(off)等于何值?(图中iD的假定正向为流进漏极) 四、分析计算题(每小题9分，共45分) 1.电路如图四(1)