LTCC中埋置大功率芯片散热的三维有限元分析.pdfVIP

射 11卷，第3期 电 子 与 封 装 总 第95期 VO1 1】 NO 3 ELECTRONICS PACKAGING 2011年3月 封 装 、 组 装 与 测 试 LTCC中埋置大功率芯片散热的三维有限元分析 陈 品，吴兆华 ，黄红艳 ，张 生 ，赵 强 (桂林 电子科技大学机电工程学院，广西 桂林 541004) 摘 要：采用有限元软件ANSYS建立 了一种适用于特定需求的低温共烧陶瓷基板 (LTCC)中埋置 大功率芯片微波组件的三维热模型，在主要考虑传导和对流散热的情况下，对三维模型进行 了温度 分布和散热情况的模拟分析。考察 了结构中主要材料如冷板、灌封胶等对散热的影响，并定量分析 了空气强迫对流系数对整体最大结温的影响。研究结果表明：增加冷板面积和增大芯片接触材料的 导热系数是外部通道散热关键，当这种结构的整体最大结温在空气对流系数达到 l60W m‘K‘ 后，降 温趋势将不再显著 ，需要改进散热结构或者从封装组件的结构参数方 面加 以考虑 。 关键词：LTCC；大功率芯片；有限元法；散热 中图分类号：TN305．94 文献标识码：A 文章编号：168l-1070 (2011)03—0005-05 ThreeDimensionalFiniteElementAnalysisofHeatDissipationoftheEmbedded PowerChipsintheLTCC CHENPin，WUZhao—hua，HUANGHong—yan，ZHANGSheng，ZHAOQiang (SchoolofMechanicalandElectricalEngineering，GuilinUniversity ofElectronicTechnology，Guilin541004，China) Abstract：AthreedimensionalthermalmodelofthekindofMM IC，whichhigh—powerchipsembeddedin theLTCC，themodelforthespecialusewasbuiltbytheANSYS．Thetemperaturedistributionandthe powerdissipationwillbesimulationanalyzedundertheconductionandthermalconvectioncondition． Themajormaterialssuchascoldboardandpottinginthestructurebeeninspected，andtheeffectofair forcedconvectioncoefficientonthemodelofmaximumjunctiontemperaturewasanalyzedquantitatively． Theresultsshowsthatincreasetheareaofcoolplateandenlargethethermalconductivityofchipcontact materialsaretheexteralchannelcrucialheat，whenthevalueoftheairconvectioncoefficientreaches 160W ’m —K 1 ， themodelofmaximumjunctiontemperaturedowntrendwillnolongersignificant，thenthe thermalstructureneedtobeimprovedortheChip packagecomponentstructuralparam eterstobe considered． Keywords：LTCC；powerchips；finiteelementmethod；po