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一、模拟、数字及电力电子技术（02238） 1、N型半导体和P型半导体的多数载流子,少数载流子? 【1:P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体,N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子 2、放大电路的基本要求？【1、输入阻抗尽量高一些，输出阻抗尽量低一些。2、负反馈深一些，输入输出关系呈线性。3、零点漂移尽量小一些，适应环境温度的能力强一些。4、抗干扰能力大一些。 3、文氏桥震荡电路的优点?【振荡频率稳定，带负载能力强，输出电压失真小。 相控变换电路的两种工作状态，及其分别处于这两种工作状态的条件？【全控式和半控式】 条件是： 相控整流电路的4种形式？【半波和桥式，全控和半控与非：电路有两个CMOS反相器构成，两只驱动管VT1.VT3是N沟道增强型MOS管正负同步调制、异步调制和分段调制PWM逆变器不仅可以控制交流输出电压的频率，而且可以控制其大小，还能减少输出电压的高次谐波分量。 10、TTL门电路的特点？【电源电压为5V,这是典型值.2.工作速度高,3抗干扰能力较强4带负载能力较强5输入阻抗低,对信号源形成较重负载. 稳定放大倍数,改变输入电阻和输出电阻,展宽频带,减小非线性失真. 单项桥式全控整流电路在阻性负载时，控制角α与输出电压的数量关系？ 当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic怎么变化，发射结压降怎么变化？【ic变大，发射结压降变小】 对功率放大器的要求主要是什么？【输出功率要稳定放大器自身的损耗要求小在功率已经满足要求的前提下，要实现一定频率范围内的信号可以进行功率放大;效率尽可能高,,具有足够大的功率,非线性失真尽可能小,散热条件要好直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合错的，集成运放引入正反馈的同时也可以引入负反馈只有正反馈的量大于副反馈才工作在非线性：（1）将输出端短接此时输出电压为零，如果反馈信号也为零，则表示反馈信号与输出信号成比例，因此属于电压反馈。反则属于电流型反馈。（2）查看网络与负载电阻的联接方式：若两者是并联连接，则反馈信号与输出成比例，因此属于电压1有无反馈的判断2 正负反馈的判断3 交直流反馈的判4电压反馈与电流反馈的判断5串联反馈与并联反馈的判断 分析运放的两个依据是什么？【（同相和反相端电压相同）A、U一约等于U+ B、I一约等于I+约等于0虚断 跟虚短保持斩波频率f=1/T不变，改变斩波周期t t频率调制，保持导通时间或关断时间不变，只改变导通时间 共集电极放大电路的负反馈组态是什么？【电压串联负反馈电压联负反馈电串联负反馈电串联负反馈信号从射极输出，又叫射极输出器； 2)输出信号与输入信号同相位，又叫跟随器； 3)电压放大倍数小于等于1，电流放大倍数大，适合作功率放大器的射极输出；4)输入阻抗高，输出阻抗小，适用于输入级作阻抗变换用；3. 共射可放大电流及电压，输入电阻适中， 输出电阻较大，用于低频电压放大电路晶闸管是一种四层结构的大功率半导体器件它同时又被称作可控整流器或可控硅元件。它有三个引出电极，即阳极（A）、阴极（K）和门极（G）电网换流、负载换流和强迫换流虚短虚断列表法布尔代数法,真值表法,逻图法,卡诺图法,波形图法, 点阵图法,硬件设计语言法 31、逆变器按直流电源性质分类？【电压型逆变器vsi，电流型逆变器csi(有速度编码器矢量控制。无速度编码器矢量控制 32、欧姆定律应用？【①、根据I＝U/R，可以用来计算电路中的电流、通过用电器的电流；②、根据R＝U/I，可以用来计算电阻的大小； ③、根据U＝IR，可以用来计算电路、用电器两端的电压。 ④、综合运用上述公式，可以用来设计电路 33、全控型电力半导体的定义?【全控型器件：电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体、门极可关断晶闸管;半控型器件:晶闸管截止区三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。放大区三极管的发射极加正向电压（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。饱和区当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。饱和时，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3V，UceUbe（硅管0.3V，锗管0.1V），发射结和集电结均处于正