三电平铁电存储器.docVIP

本科毕业设计（论文） 外文参考文献译文及原文 学 院 自动化学院 专 业 电子信息科学与技术 年级班别 2008级（1）班 学 号 3204006666 学生姓名 林晴 指导教师 徐迎棚 2008年 6 月 目录 三电平铁电存储器的研究 1 摘要 ……………………………………………………………………………………...1 1 简介 2 2 二进制FeRAM操作 3 3 FeRAM三电平信号操作 6 4 参数多元化建模 9 AN INVESTIGATION INTO THREE-LEVEL FERROELECTRIC MEMORY 10 Abstract 10 1. Introduction 11 2. Binary FeRAM Operation 13 4. Modeling Parameter Variations 20  三电平铁电存储器的研究 摘要 铁电随机存取存储器是一项新型非易失性存储器技术，比起闪存它有几个关键优点，包括能允许更多次的“编程——擦除”操作和更快速写入速度。然而，当前FeRAM阵列的存储容量落后于闪存存储器三个数量级以上；因此，铁电随机存取存储器到目前为止更趋向于小应用程序的应用，例如智能卡和电子计量。FeRAM存储密度的显著增长依赖于许多前沿技术的进展。大部分数字存储器技术工艺使用两个可能的数据信号电平将每个存储单元编码为1位。多电平存储单元型闪存存储器使用4个数据信号电平来增加存储密度，每个存储单元编码为2位。在这篇文章中我们研究了使用3个数据信号电平来增加存储密度的可能性的初步调查研究结果，使之从每单元1位增加到平均每单元1.5位。这个问题主要挑战是确保三个信号状态的精确写入（极化方向分别为上、下的极化了的铁电薄膜，和去极化的薄膜）和在存在噪声以及不可避免的器件参数变化的情况下，存储单元状态的可靠检测。 关键词：铁电存储器 多电平信号 三电平信号 三电平存储器 多电平存储单元 1 简介 FeRAM是一种非易失性存储器新型技术，该存储器有几个重要优点凌驾于以往闪存存储器之上。例如，闪存存储单元能够编程和擦除最多106次，然而现在铁电存储单元最少可循环编程擦除1012次。而且，闪存存储单元要求相关复杂的序列需数百毫秒才能完成而在FeRAM存储单元编写则精确到50纳秒之内。铁电存储单元更大的优点是能够在低压电源运行（例如小于或等于1.8伏）和它们能够用两个额外的掩模综合到标准的互补金属氧化物半导体技术。闪存存储器相关编程和擦除需要就比较大的电压（例如~10伏），这需要在芯片上进料泵和耐高电压配电网。而且，闪存存储单元需要第二层多晶硅来形成可编程浮动门和薄隧道屏障一律产物。FeRAM的最近发展缩放和联合工艺能为植入到FeRAM高密度系统芯片成功介绍而铺路。 闪存存储器设备，尽管已经可在多吉比特设备密度中应用，然而FeRAM最主要设备只需在一百万兆密度就可应用。与非易失性技术的长时间相比，闪存存储器得益于产品的多电平研究与开发投资。FeRAM存储密度的增加将会要求FeRAM存储单元更小型化的发展、参考电压和单元信号感觉电路的改进，并且更好理解和铁电材料必需的道具长期稳定性的控制。 在这篇文章我们介绍以仿真为基础的初步研究结果，即可能使用三电平信号增加FeRAM存储单元存储密度的调查研究。铁电材料非线性偏振特性，例如钛酸铅锆这种材料使它实现用与多级闪存存储器的4级信号是非常困难的，因此我们考虑使用3电平信号代替，3个存储单元状态是通过铁电薄膜在向上方向及向下方向之间的振动，而且没有偏振网络通过铁电薄膜。如果每个存储单元能够存储三个状态之一，因而一对存储单元就能够存储9个不同联合状态。这些状态中只有8个是被要求来编码这3位的，意味平均每个存储单元1.5位的存储密度。（一个这样的编码以前在阿尔伯达大学动态随机存取存取器多级实验中使用过）转换和来自外部二进制信息三进制价值的有序偶能被轻易完全应用在外围设备组合逻辑。 文章剩余部分由以下部分组成：第二部分回顾了FeRAM的传统二进制运算体系，而第三部分则描述被提议FeRAM的三进制算法的操作，第四部分描述FeRAM晶体管器件不可避免参数变化的三重操作在我们的仿真研究中产生怎样的影响。第五部分则概述研究的结果，最后，第六部分做了一些总结性评论。 2 二进制FeRAM操作 FeRAM定义具有这种特性的材料为铁电体，这种可逆的剩余饱和电极化强度材料能够通过外电场对铁电物质产生影响。这中偏振行为好像出现在电介