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从半导体器件的特性来看目前可靠性测试方法的不足 摘要：功率半导体器件如MOS管、IGBT在开关电源当中是最关键的器件，半导体器件的特性与环境温度有非常密切的关系，在使用和设计时一定要注意，同时产品的可靠性测试也一定要考虑器件的这种特性，设计合理的测试方法。 关键词： MOS管、IGBT 功率半导体器件的温度特性 目前，我们最常用的功率半导体器件是MOS管和IGBT两种开关管，而对于GTO、GTR等开关器件使用的比较少，对于MOS管和IBGT来说，器件参数与温度有很大的关系，温度是影响器件的可靠性的最关键的因素，这两种器件的参数与温度的关系如下： 驱动电压Vgs的范围：一般来说，MOS管和IGBT的Vgs的范围为±20V，极限范围或瞬态的情况下可以达到±30V，如果驱动电压超过这个范围，就可能会损坏。这个范围是随着温度的升高而下降的。 Rds，Rds是MOS管导通时的导通电阻，MOS管的Rds是随温度的而升高的，一般的器件资料中给出的Rds值是25℃结温条件下的指标。 Id，对于MOS管和IGBT来讲，资料上的参数一般均为25℃结温条件下的最大电流能力，另外对于IGBT来讲，在使用时，不但要注意使用的环境温度，还要注意使用的频率，频率越高，IGBT的Id能力越小，对于目前所说的超快速的IGBT来说，在频率50KHZ以下使用时基本上可以不考虑频率的降额，频率再高，就要考虑频率降额，有