挡板对电弧离子镀TiN薄膜性能的影响.pdfVIP

维普资讯 挡板对 电弧离子镀 TiN薄膜性能的影响 邱万奇，傅 涛，向兴华，陈 灵(华南理工大学 机械工程学院，广东 广州 510640) 摘要：在传统离子镀 电弧靶前安装挡板，用镜面抛光Si(100)片作基体，对有／无挡板时沉积的TiN薄膜的大颗粒 分布和性能进行了研究。结果表明，在挡板影响区域，大颗粒最大直径 由无挡板时 16txm降低至2txm，大颗粒密 度从2．3×10mmI2降低至 1．4×10mm～；挡板影响区外，大颗粒密度变化不显著。加挡板后 TiN薄膜的硬度 降低，挡板影响区外降低 10％，影响区内降低25％。 关键词：离子镀；挡板；TiN薄膜；大颗粒 中图分类号：0484；TG174．444 文献标识码 ：A 文章编号 ：0254-6051(2008)02-0041-03 Influenceofshield onpropertiesofTiN filmspreparedbyarcion plating QIUWan—qi，FUTao，XIANGXing—hua，CHENLing (SchoolofMechanicalEngineering．SouthChinaUniversityofTechnology，GuangzhouGuangdong510640，China) Abstract：Thearcionplateequipmentwasimprovedbyfixingashieldbeforethearctargetinordertolimitthemacro— particlesflyingtochamber．TheTiNfilmsweredepositedonSi(100)substratebyboththefixingandunfixingshieldtar— get．Thedistributionofmacro—particles，micro—hardnessoftheTiN film wasassessedusingscanningelectronmicroscopy andmicro—nanohardnessmeter，respectively．Compareunfixingwithfixingshieldtarget，withintheshieldinfluencearea themaximum diameterofmacro．particlesdecreasesfrom 16 m to2 m ，andthedensityrfom 2．3 ×10 mm～ to1．4 × 10 mm-2 ． Themicro．hardnessoftheTiN filmsdecreases25％ withintheshieldinfluencearea，howeveroutoftheinflu． encearea，decreases10％ ． Keywords：ion—plating；shield；TiN film ；macro—particles 电弧离子镀技术具有离化率高、粒子能量大、沉积 间的关系，取其 中一个 电弧靶进行试验 。电弧靶直径 速率高等优点¨ ，在工业上获得了越来越广泛的应 4,1oomm，不锈钢挡板直径 4,100mm，距 电弧靶面 80 用。然而，电弧离子镀膜层 中存在直径为 1—20 m mm，电弧靶表面法线和挡板表面法线重合。保持样 品 的大颗粒污染 引，造成薄膜表面粗糙度较大，膜层缺 架不动，将清洗后的镜面抛光单晶硅片放置在 图1的 陷增加和性能不均匀等不利因素，影响了膜层的性能。 A、B、C、D、E所示位置 ，各点与弧靶轴线的相对角度见 为解决电弧离子镀膜层 中存在 的大颗粒污染 问题，各 表 1。根据电弧在靶上运达的位置和大颗粒的发散角 国学者进行了大量的研究 ¨剖，其中利用弯曲弧磁过滤 度计算，c点位于挡板影响区的外边缘。 器将大颗粒与等离子体分离，将等离子体引入沉积室 的方法取得了较好的效果，但该方法的沉积速率比普 通电弧离子镀降低很多 。]。文献 [1]研究表明，大颗 粒主要分布于与电弧靶表面