单靶磁控溅射Cu1-xCrx（x%3d1．19～2．37）薄膜的制备.pdfVIP

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2015-08-13 发布于江西
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单靶磁控溅射Cu1-xCrx（x%3d1．19～2．37）薄膜的制备.pdf

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中国有色金属

维普资讯第 16卷第 11期中国有色金属学报 2006年 11月 Vo1．16No．11 TheChineseJournalofNonfeITOIISMetals NOV． 2006 文章编号：1004—0609(2006)11—1876—06 单靶磁控溅射 Cu一Cr(=1．19～2．37)薄膜的制备① 王新建，姜传海，王家敏，洪波 (上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及测试教育部重点实验室，上海 200030) 摘要：利用简易合金靶材在Si(100)基底上单靶磁控溅射制备Cu1--xc (z一1．19～2．37，摩尔分数， )薄膜。研究不同名义成分的合金靶材得到的溅射态薄膜的成分、电学性能、组织结构及表面状态。研究结果表明：利用简易合金靶材制备的Cu一Crx薄膜成分可控。Cr的加入增强了溅射态薄膜的(111)织构，且随着薄膜厚度的增加，(111)织构增强；855am厚的Cu-2．37 Cr薄膜的(111)与 (200)的峰强比高达 8．48；合金元素 Cr显著影响溅射态薄膜的表面状态 (平整性和致密度)和电阻率；随着Cr含量的增加，前者呈现先升高后下降的趋势，而薄膜电阻增加；Cu-2．18 Cr薄膜由于应力增加局部产生微裂纹，薄膜连续性下降。并从薄膜生长动力学以及自由能的角度对上述结果进行了初步的阐述。关键词：Cu1--xCrx薄膜；磁控溅射；溅射态；织构中图分类号：TM241．1 文献标识码：A PreparationofCUl一Cr (= 1．19—2．37)filmsby magnetron sputteringsingletarget WANGXin-jian，JIANGChuan—hai，WANGJia—min，HONGBo (KeyLaboratoryofM inistryofEducationforHigh TemperatureM aterialsandTesting， SchoolofMaterialsScienceandEngineering，ShanghaiJiaoTongUniversity， Shanghai200030，China) Abstract：Cu卜 C films(x= 1．19—2 ． 37，molefraction， )weredepositedontheSi(100)substratebymagne— tronsputteringusingasinglealloytarget．Theconcentration，electricalresistivity，microstructureandmorphology offilmsdepositedbytargetswithdifferentnominalCrconcentration wereinvestigated ． Theresultsshow thatthe concentrationsoffilmsarepredictably．Crintensifiesthe(111)texturewhichincreaseswithincreasingthick