SOI光波导传输机理及其损耗的研究.pdfVIP

维普资讯 第 2(】卷 第 2期 太 原 重 型 机 械 学 院 学 报 Vol20 No2 1999年6月 JOUR ALOFTAIYU．NHEAv％M．ACHINERY INSTITUTE Jun 1999 SOI光波导传输机理 一7 损耗 研究 ／，『 (太原重型机械学院物理教研室，太原030024) (中国第十三冶金建筑套司，太原030003) 撒 用 关键词 SOI；光继波导 ●专叶 ＼州气 ．． 良‘ J 中图分类号 TN256 ‘ 一 ～ ～ 一 + + 一 + + + + ～ 一 一 用S()I技术制造的微电子器件有抗辐射能力强，寄生电容小等优点 在观察到SIMOX 结构参铒硅层在室温下可以发出波长 1．537um的红外光 ，因此，对 SOl技术的研究吸引 了国内外大批研究者的注意：并开发了很多制作方法，本文对 SOI光波导的导模机理进行 r讨论，对其传输损耗进行分析与计算。 1 光波导的导模机理 1 Air X 光以独特的“光模”在波导中传播，在 2 Si 这个意义上说 ，“模”是光能在一维或多维 Y 的空间分布。如图l所示为非对称平面波 导。为了着手讨论光模，考虑图l三层波 3 Si02 导结构，假定这些层在 Y和Z方向是无限 的，层 l和层3还假设在x方向是无限的， 图 1 非对称平面波导 光波沿Z方向传播，模等效的数字定义为，它是一个电磁场，是麦克斯韦波方程(1)的解 V2E( )= (1) 其中 E是电场矢量；r是位置矢量；是折射率。式(1)的解具有形式： E(r，t)=E( t)expi 一日(r)]{ (2) 其中 指辐射频率；p是位相函数；把式(2代人式(1)可得： E(r，)一 (r)E(r)=0 (3) 收稿 日期：1998一l1—01 本文第一作者：女，1963年9月生，碗士，太原重型机械学院讲师．主要研究方向为半导体光电 器件及集成技术。 维普资讯 第 2O卷第 2期 刘淑平等：sol光波导传输机理及其损耗的研究 其中 ^=∞／c为 方便起见，假设在 Z方向传播看平面渡，也就是D(r) (卢是传描 常数)，并且没有明显的z依从关系，于是式(3)成为： + +[k2n：(r)一 ]E(，)=o (4) 因为波导被假设在 Y方向是无限的，分别对 X方向的三个区域写出式(4)．可得到 +[ H ) ,82]E(nJ．)：[)、 2+[^2ni() ：]E(， )：0 (5) ” }