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第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 新型 SO N 器件的自加热效应 吴大可 　田　豫 　卜伟海 　黄 　如 (北京大学微电子学研究所 , 北京 　100817) 摘要 : 分析了自加热效应对 SON 器件性能的影响 ,并与 SO I 器件进行了比较. 提出构造散热通路的方法来抑制 SON 器件的自加热效应 ,分析了不同通路情况对 自加热效应的抑制程度. 还对散热性能较好的具有不连续空洞埋 层的 SON 器件进行了研究 ,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响 ,为器件结构设计提供了指导. 关键词 : silicononnot hing 器件 ; 自加热效应 ; 散热通路 ; 空洞层 EEACC : 2560 ; 2890 中图分类号 :