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趋肤效应的定量分析 作者：电子工程与信息科学系 杨非 P 彭洪畅 P指导老师：朱弘 CONTENTS 一、引言 二、模型分析 电磁波在导电介质中传播理论：物理模型及数学 分析。 三、结果讨论 良导体的情况 ：能量耗散和趋肤效应电阻。 四、结论 * * * * 疑问 这种说法只是对现象的一种解释而非严格的推导。不过书上指出了理论分析的方向，应当求解电磁场方程组。一些参考书上仅仅作为结论给出了电流密度随深度变化的公式 其中把称为趋肤深度。这个结果形式非常简单。那么它是如何得到的呢？下面我们将就这个问题展开一些定量的讨论。 比较自由空间导电介质空间的电磁场方程 自由空间 导电介质空间 电磁场方程 电磁波的解 三、结果讨论 1、平面波解 设电磁波沿z轴方向传播，波矢量，则导电介质中的电磁波解为： (1) 不难确定这些常数（显然、0）： (这里是复数,为其幅角) 于是我们可以作出导电介质中的电磁波波形示意图（如右图）。 与自由空间的平面电磁波不同之处在于： 电场、磁场不同相位； 电场、磁场的振幅在传播方向上衰减。 复波数的物理意义：实部与自由空间的波数有相同意义，描述空间相位分布；虚部是导电介质的特征量，描述电磁波强度（振幅）的分布，并且这分布是呈指数衰减的。 2、良导体的具体情况 对一般良导体，有。事实上这个式子是良导体的一个广泛的定义。于是有下面的近似： 一般资料上定义趋肤深度：场的幅度衰减为表面的所传播的距离，则 要注意的是，对良导体，趋肤深度一般是很小的，例如铜，在频率为的交流下， 。 根据式(1)，结合欧姆定律，我们得到电流密度分布： (2) 如果我们把(2)中的作为复振幅，那么式(2)就变成我们开始时提出的证明目的。所不同的是这里要考虑时变部分。(2)式很重要，是我们进一步的定量讨论的基础。 (1)电磁波传播过程中的能量耗散 先从能流密度角度分析。根据(1)式，玻印廷矢量： 由的物理意义，流入的能流密度为S(+0),流出的S(z),那么在平面导体上的区域，t时刻的瞬时功率输入为： 这个结果是在意料之中的。从能量守恒的角度看，电磁波的能量输入在导体内没有其他的形式的能量转化，只能是完全变成焦耳热。这样我们得到了关于能量耗散的结论： 更重要的是一个周期内的平均功率： (3) (2)趋肤效应电阻 基于能量的讨论使得我们能够进一步研究趋肤效应下电阻的情况。 沿x方向的电流： 结论 在平面电磁波、半无限平面良导体的模型下： 1、我们从平面电磁波在导体内的传导方程入手，得到电流密度-深度关系，其中是由导体性质及频率决定的长度量，称为趋肤深度。 2、在电流分布的基础上，我们得到能量耗散方程，并从功率关系导出半无限平面导体在高频交变电流下的电阻计算公式，并特别注意到它与同样的导体在直流下电阻计算的不同。 注：值得注意的是流入的能流密度取为S(+0)而非简单的S(0)。事实上我们考虑S(-0)，这是在自由空间的能流密度，，与是不同的，即S在界面发生了跃变。这是电磁波在界面部分能量反射引起的。 再从焦耳定律角度分析。按已得到的电流密度分布函数： 由焦耳定律可计算热功率： 则瞬时的焦耳热功率为 设R为这个部分的等效电阻，由焦耳定律： (4) 比较(3)(4)两式，可以得到R的表示： (5) 我们把(5)式与电阻定律做一个比较：b是电流传导方向上的长度，相当于载流面积。那么就是有效载流深度。从这个结论我们看到一个很特别的现象，即无论这个平面导体的厚度有多大，它的有效载流电阻只相当于直流下厚度为的薄板。 从(5)式还可以得到关于圆柱形导体的电阻情况，单位长度的圆柱导体电阻为 () 一、引言 在普通物理的电磁感应相关部分中，用涡流观点定性地解释了趋肤效应的产生原因。 当导体中通有时变的电流I 时，在它周围产生变化的环形磁场。根据法拉第定律，将在导体中产生涡旋电场从而生成涡流i，方向如图所示。在表面附近与i是同向的（加强），而在轴线附近与i反向（部分抵消）。所以导体的横截面上电流密度的分布是边缘大于中心。这被形象地称为“趋肤效应”。 导电介质中的电磁波（数学推导） 由介质中的麦克斯韦方程组（复数形式）