材料导报2007年度引证指标.pdfVIP

高Bi。0。含量对低熔点电子玻璃结构和绝缘性能的影响／董福惠等 ·263 · 能的变化是由玻璃结构的变化而引起的。随着 BizOs／B2()3比 3 结论 的增大，玻璃结构 中的[BO4]和[go3]减少 ，[BiO3]微结构^日u逐IU渐。_【×)＼ 增多，玻璃中的网络体相应地减弱，使结构处于较松散的不稳定 (1)随着 Biz03／B2()3比例的降低，900cm 和 500cm 分 呈i 耋§ 状态，玻璃中自由电子或离子迁移能力也逐步增强，其介电损耗 别对应的-[BiO3]的结构和 Bi-O键的振动峰强度有明显减小的 则相应增大，从而使玻璃的介电性能出现 比较明显的下滑。 趋势 ，而 1300cm 和690cm 分别对应的DO-B键和DO键的 图5为各组成玻璃 的体积 电阻率 图。由图可见，随着 振动峰则明显增宽增强。 Biz03含量的减少，玻璃体积电阻率也呈快速上升趋势，其绝缘 (2)Bi()3一B203一ZnO-AIz03玻璃的转变温度随 Bi203含量 性能与介电性能是一致的。样品4比样品1具有更高的体积电 的增加而降低，且能形成透明的玻璃 ，但对绝缘性不利，而提高 阻率，是因为玻璃体中存有更多的[1304]结构，它使玻璃体形成 B2()3含量则能促进结构稳定，提高绝缘性能 ，但对转变温度不 更多的网络体，从而提高了玻璃的稳定性能，而稳定的玻璃结构 利。 能束缚 自由移动电子和离子在玻璃中的移动能力，提高它的绝 (3)玻璃的介电性能和体积电阻率随着Biz()3含量的减少、 缘性能。 B203的增加而得到增强，是因为玻璃中[BiO~]和[BiO6]结构向 ．／／ 一 [BO4]和[B03]结构转变形成更稳定的玻璃结构所致。 参考文献 1 郭宏伟，等．低熔封接玻璃无铅化的研究现状及发展趋势 [J]．中国玻璃，2005，30(3)：3 2 武丽华 ，王昱，陈福．含 Biz03低熔点玻璃的制备及性能研 究[J]．建筑玻璃与工业玻璃，2007，(10)：3O 0 1 s X ．~ ple 3 4 3 刘新年 ，高档妮，等．磷酸盐在低熔封接玻璃中的应用 [J]． 无机盐工业 ，2005，37(7)：45 图5 样品体积 电阻率的变化 曲线 ． 长谷川真也 ，井上修，丰田诚 司．被覆电极用玻璃组成物及 Fig．5 Curveofthevolumeresistivityofsamples 含有该组成物的玻璃浆．CNPat，1953942．2007—04—25 从上述可见 ，在表 1的组成范围之内，随着 BizO3含量的增 5 长谷川真也，大西宏，金井美纪江，等．