含前驱体SiC粉体低压成型低温烧结SiC多孔陶瓷.pdfVIP

第 15卷 第 3期 VOl。15NO．3 2009年 6月 Jun．20o9 含前驱体 SiC粉体低压成型低温烧结SiC多孔陶瓷 刘 坚 ，许云书 ，熊亮萍 ，徐光亮 (1．西南科技大学 材料科学与工程学院，四川 绵阳 621010；2．中国工程物理研究院 核物理与化学研究所，四川 绵阳 6219oo) 摘要：采用聚碳硅烷和SiC粉体为原料低压成型低温烧结制备SiC多 多孔陶瓷由于具有高孔隙率、优良的抗腐蚀性、抗 孔陶瓷，研究 了聚碳硅烷含量对SiC多孔 陶瓷性能的影响。SEM 分析表 氧化性和耐高温性等特点，可用作高温气体净化器、熔 明，聚碳硅烷裂解产物将SiC颗粒粘结起来 ，多孔陶瓷具有相互连通的 融金属过滤器 、热交换器 、保温隔音材料、催化剂载体 开孔结构。烧成 sjC多孔陶瓷的孔隙孔径为单峰分布、分布窄，室温至 器№ 等，在冶金 、化工 、环保和能源等领域具有广阔的应用 8oo℃之 间多孔陶瓷的平均热膨胀系数为 4．2x10 K～。随着聚碳硅烷 中含量 的增 大，SiC多孔 陶瓷的孔 隙率降低 、三点弯折强度增 大，当聚碳 前景 。SiC陶瓷由强 Si—C共价键结合，因此SiC多 国硅烷质量分数 为 1O％时分别为44-3％和 31．7MPa。 孔陶瓷烧结温度相当高，限制了SiC多孑L陶瓷的实际应 关键 词：多孔陶瓷 ；前驱体 ；低温烧结 用。先驱体转化法是一种低温制备高性能SiC陶瓷的 粉中图分类号 ：TQl74 文献标志码 ：A 先进方法，如制备SiC陶瓷纤维 、SiC陶瓷基复合材料、 体文章编号 ：1oo8—5548(2009)03—0028—03 SiC微粉等网，其显著特点是制备温度低。本文中采用聚 技 碳硅烷前驱体作为成型粘结剂低压成型低温烧结SiC 术 №PreparationofPorousSiCCeramicsby 多孔陶瓷。聚碳硅烷由有机聚合物转变为无机物的过 Precursor-containedSiC Low·pressure 程中有大量的气体逸出141，这些气体通过扩散作用从网 MoldingandLow—temperatureSintering 络状的基体中逸出，因此低压成型将有利于裂解生成 气体的逸出，从而降低由此导致的膨胀开裂 ，同时有利 LiuJian1,2，XuYunshu ， 于获得高孔隙率 SiC多孔陶瓷。本文中研究了原料中 XiongLiangping2 XuGuangliang 聚碳硅烷含量对烧成SiC多孔陶瓷性能的影响。 (1．SchoolofMaterialScienc