溶胶凝胶法SrInxTi1xO3薄膜的制备及表征.pdfVIP

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2015-08-17 发布于重庆
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溶胶凝胶法SrInxTi1xO3薄膜的制备及表征.pdf

绝缘材料2011，44(1) 常亮亮等：溶胶一凝胶法SrIn：Ti。一：O，薄膜的制备及表征 17 1 o 溶胶一凝胶法SrInxT1一x 3薄膜的制备及表征常亮亮，殷明志 (西北工业大学理学院，西安710129) 725℃／60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM对 Ti，一：O，(SITO)薄膜。SITO凝胶薄膜经过575 薄膜结构和形貌表征。霍尔测定表明In—STO薄膜属于空穴导电的P一型半导体。SITO薄膜形貌与溶胶的 h。陈化时间有关，最佳陈化时间为5～20 关键词：溶胶一凝胶法；SrIn。Ti。一。O。薄膜；结构中图分类号：TM22文献标志码：A 文章编号：1009—9239(2011)01—0017—05 andCharacterization Fabrication of Films Process Srln工Ti1-x03 bySol-gel CHANG Liang—liang，YINMing·zhi (SchoolNaturaland Science，Northwestern of Applied Polytechnical University， Xi’an710129。China) on／SiO weresue． Abstract：Homogeneous，crack．freeSrln。Til．。03(SITO)films2／Si(110)substrates fabricateda aceticacid reactedwith cessfully by sol—gelprocess．Sr(OAc)2glacial solution，being C3H5(OH)3，formedSr(OAc)2【C3H5(OH)3】。；Ti(OBu)4 with molecule，beingpartiallyexchanged formed In(N0s)3·41／2H20needs into AcAc，and Ti(0Ac)z(AcAc)2；while beingchangedIn(AcAc)2 (OAc)2 in aceticacidunder medium．Allthe byexchangingligandglacial anhydrous species，un- and or SITO s01． dergoingpartiallyhydrolyzedpolymerizedbyhydroxyloxygen，formedpolymeric SIT0filmswithcubic were formedafter annealedat575～725℃for