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BMN掺杂NBT压电陶瓷的介电特性研究.pdf
第3 1卷第3 期 压 电 与 声 光 Vol . 3 1 No . 3
2 0 0 9 年6 月 PIEZO EL EC T EC TR ICS A COU STOO P TICS J un . 2009
文章编号 (2009)
BM N 掺杂 NBT 压电陶瓷的介电特性研究
周昌荣 ,刘心宇 ,陈国华 ,许积文 ,江民红
(桂林电子科技大学 广西信息材料重点实验室 ,广西 桂林 54 1004)
( ) ( )
摘 要 :采用传统陶瓷制备方法 ,制备了一种新无铅压电陶瓷材料 1 - x Na Bi TiO xBi Mg N b O 。
1/ 2 1/ 2 3 2/ 3 1/ 3 3
( ) ( )
研究了Bi Mg2/ 3 N b 1/ 3 O3 掺杂对 Na1/ 2 Bi1/ 2 TiO3 陶瓷晶体结构 、弥散相变与介电弛豫行为的影响 。X射线衍射
( XRD) 分析表明 ,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能形成纯钙钛矿固溶体 。材料的介电常数温度曲线显示陶
瓷具有 2 个介电反常峰 T 和 T ,低掺杂的样品低频介电常数在居里温度以上异常增加 。该体系陶瓷表现出与典
f m
型弛豫铁电体明显不同的弛豫行为 。根据宏畴微畴转变理论探讨了该体系陶瓷产生介电弛豫的机理 。
关键词 :钛酸铋钠 ;无铅压电陶瓷 ;介电性能 ;弛豫特性
中图分类号 : TM282 文献标识码 :A
Study on the Dielectric Behavior of Bi( Mg2/ 3 Nb1/ 3 ) O3 Doped
Na1/ 2 Bi1/ 2 TiO3 Piezoelectric Cera mics
ZHOU Changrong ,L IU Xinyu , CHEN Guohua , XU Jiwen , J IANG Minhong
( Guangxi Key L ab . of Infor mation Mat erial s , Guilin U niver sit y of Elect ronic Technology , Guilin 54 1004 , China)
Abstract : A new group of BN Tbased leadfree piezoelect ric ceramics ( 1 - x) Na Bi TiO xBi (Mg N b ) O
1/ 2 1/ 2 3 2/ 3 1/ 3 3
wa s p rep ared by t he conventional s
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