美开发出砷化铟二维半导体量子膜.pdfVIP

——一 蜀 ndTechnolovInformation 过使失配应变能真正通过侧壁消失，从而更 好地摆脱 了晶格匹配 的限制。” 科学家们发现了让不 同铟、砷 、镓组成的 III．V族半导体生长所需要 的不同环境 。最新 方法 的优势在于 ，他们可 以使用普通 的生长 技术而不需要特殊 的方法让纳米线在硅 晶圆 上生长，也不需要使用金属催化剂。 这种纳米线的几何形状能通过提供更高的 光吸收效率和载荷子收集效率来增强太阳能 电池 的性能，其也 比薄膜方法用到的材料更 少，因此 降低 了成本。 李秀玲相信，这种纳米线方法也能广泛地 美国科学家开发出一种新技术，首次成功 用于其他半导体上 ，使得其他 因晶格失配而 地将复合半导体纳米线整合在硅 晶圆上 ，攻 受 阻的应用成为可能 。其 团队很快将展示优 克了用这种半导体制造太 阳能电池会遇到的 质高效的、基于纳米线的多结点串联太 阳能 晶格错位这一关键挑战 。他们表示 ，这些细 电池 。 (科技El报) 小的纳米线有望带来优质高效且廉价 的太 阳 能 电池和其他 电子设备 。相关研 究发表在 《纳米快报》杂志上 。 III—V族化合物半导体指元素周期表 中的 III族与V族元素结合生成 的化合物半导体 ， 主要包括镓化砷 、磷化铟和氮化镓等 ，其 电 子移动率远大于硅 的电子移动率 ，因而在高 速数字集成 电路上 的应用 比硅半导体优越 ， 有望用于研制将光变成 电或相反的设备 ，比 如高端太 阳能 电池或激光器等 。然而 ，它们 无法与太 阳能 电池最常见 的基座硅无缝整合 在一起，因此，限制了它们的应用 。 美国加利福尼亚大学伯克利分校研究人员 每种晶体材料都有特定的原子间距——晶 开发出一种全新 的二维半导体 ，这是一种 由 砷化铟制造 的 “量子膜 ”，具有带状结构 ， 格常数 (点阵常数)，III—V族半导体在制造 只需简单地减小尺寸就能从块状三维材料转 太 阳能 电池 的过程 中遭遇 的最大挑 战一直 变为二维材料 。相关论文发表在近期 出版 的 是 ，这种半导体没有 同硅一样的晶格常数 ， 《纳米快报》上 。 它们无法整齐地叠层堆积在一起 。该研究的 当半导体材料的尺寸小到纳米级，它们在 领导者、伊利诺伊大学 电子和计算机工程教