5.4GHz+1W+InGaP%2fGaAs+HBT功率管.pdfVIP

2005’全国微波毫米波会议论文集 5．4GHzlWInGaP／GaAsHBT功率管 中华军，陈延湖，葛霁，王显泰，刘新宇，吴德馨 中国科学院微电子研究所，北京100029 摘要：在4英寸化合物工艺线上使用国产外延材料成功研制C波段InGaP／GaAsHBT功 率管，器件的热稳定性和高频功率特性良好。电流增益截止频率(五)和最大振荡频率 (五。，)分别为34GHz和32GHz：10×30X2um2功率管的LoadPull在片测试饱和输出 功率为1w，功率密度3．33W／mm；ldB功率压缩点输出功率为28．8dBm，线性功率增益大 于9dB。 1引言 GaAs基异质结双极晶体管(HBT)功率器件具有高功率密度，高线性度，高效率， 可实现单电源供电等优点uql；并且InGaP／GaAsHBT与AIGaAs／GaAsHBT相比，具有电 流增益高，热稳定性好，工艺重复性好、成品率高和可靠性、长期稳定好等优点，目前 InGaP／GaAsHBT功率器件和电路广泛应用无线通讯设备(如手机、蓝牙通信、WLAN、卫 星转发器等)的功放电路中，对功率器件的热稳定性和功率特性都有很高的要求。 本文通过设计HBT外延材料结构和器件结