喷雾热分解法制备ITO薄膜及其光电性能研究.pdfVIP

第9卷第2期 纳米加工工艺 Vo1．9No．2 2012年 4月 Nano—processingTechnique April2012 喷雾热分解法制备 ITO薄膜及其 光电性能研究水 周洋，武光明，高德文，邢光建，朱艳英，张志乾，曹阳 (北京石油化工学院，北京 102617) 摘 要：采用 自制的喷雾热分解装置在玻璃衬底上制备ITO薄膜 ，并对实验条件进行了正交设 计，以考察制备ITO薄膜的优良条件，结果表明，影响ITO薄膜光电性能的主要因素是基板温度。 制备ITO薄膜的优化条件为：基板温度300~C，载气气流速度1L·min～，退火温度540~C，溶液配 比为铟锡比10：1，喷嘴与基板距离8cm，薄膜沉积时间3．5min，相应的透光率为97％，方块电阻 38751-1／E3。 关键词：喷雾热分解；ITO薄膜；光电性能 PreparationofITO ThinFilmsbySprayPyrolysisand itsPhysicalProperties ZHOUYang，WUGuang—ming，GAODe-wen，XINGGuang-jian， ZHUYan-ying，ZHANGZhi-qian，CAOYang (BeijinginstituteofPetrochemicalTechnology，Beijing 102617，China) Abstract：Indiumtinoxide(ITO)filmsweredepositedonglasssubstratesbyusingthehomemadespraypyrolysissystem． OrthogonaltestwasdesignedtoexaminetheoptimalconditionsforthepreparatedITOfilms．Thesubstratetemperatureis themainfactoronthephotoelectricpropertiesofhteITO films．TheoptimalconditionsofrpreparingtheITO thinfilms wereasfollowing：thesubstratetemperatureis300~C，thecarriergasflowoftheairwas1L。min～，theannealingtemper- aturewas540oC，theproportionofhteindium andtinwas10：1，thedistancebetweensubstratean文nozzlewas8cm，and thedeposition timewas3．5min．Theaverageopticaltransmittanceinthevisiblerangeand sheetresistanceoftheITO filmwere97％ and387512／D，respectively． Keywords：spraypyrolysis；ITOthinfilm；photoelectricproperties 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1812—1918 (2012)02—0044—06 0 引言 率、高的可见光透过率和红外反射率、优 良的机 械强度和化学稳定性 l【】。ITO薄膜的应用范围极为 掺锡氧化铟 (Tin—dopedindiumoxide，简称 广泛，如在电子、信息、光学工程等领域有着广 ITO)材料是一种n型半导体材料 ，具有高的导电 泛的应用，具体的应用如平板显示器的电极、红