温度对氧化锌磷掺杂机制的影响.pdfVIP

第9卷第2期 纳米加工工艺 Vo1．9No．2 2012年4月 Nano—processingTechnique April2012 温度对氧化锌磷掺杂机制的影响 梁志宏，张炽棋 ，林振 国，吴萍 (汕头大学物理系，广东 汕头 515063) 摘 要：以锌粉为原料，五氧化二磷为掺杂源，采用化学气相沉积法制备出磷掺杂的多角锥状 纳米ZnO：P，分别用扫描 电子显微镜 (SEM)、X射线衍射议 (XRD)和拉曼光谱手段研究了不同 制备温度下磷掺杂对于ZnO晶体生长、拉曼模式的影响，以及磷元素有效掺杂的机理，结果表 明，掺入P改变了ZnO的择优生长，随着制备温度的升高，多角锥结构逐渐细化，磷元素更容易 掺A．ZnO，晶格畸变加剧，晶格缺陷增多；ZnO：P对温度具有选择性，高温下P取代zn，温度升 高有利于实现znO的p型掺杂。 关键词：纳米氧化锌；磷掺杂；拉曼光谱 InfluencesofTemperatureontheDopingM echanism ofP-dopedZnO LIANGZhi—hong，ZHANGChi—qi，LIN Zhen-guo，WUPing (DepartmentofPhysics，ShantouUniversity，Shantou 515063，China) Abstract：Multiped phosphorus—dopedZnO nanostructurewassynthesizedbychemicM vapourdepositionmethod．The morphology，crystalsturctureandvibration modesofthe productwere investigated by scanningelectron microscope (SEM)，X—RayDiffraction (XRD)andRamanspecturm，respectively．TheinfluencesofPhosphoursonthecrystalgrowth ofZnO andvibrationmodeswerediscussed．Th edopingmechanism ofP-dopedZnO wasalsoresearched．Theresults show thatdopingofPleadstothechangeofthepreferredgrowthofZnO，muhipednanostructuretaperoff,latticedistor- tionaggravateandlatticedefectsincreasewiththeincreaseoftemperature．PshowsamphotericinP-dopedZnO andP replacesZnathightemperature．RisingtemperatureCna helptoachievep-typeZnO． Keywords：nano——ZnO；phosphours——doped；ramanspectrum 中图分类号：TB34 文献标识码：A 文章编号：1812—1918 (2012)02—0050—05 0 引言 料，ZnO在蓝／紫外发光二极管 (LED)和激光器 (LD)、传感器等领域有着巨大的应用潜力。为实 ZnO具有宽禁带 (室温下3．37eV)、高激子束 现ZnO在发光器件领域的应用，必须制备出稳定 缚能 (60meV)、高熔点、热稳定性、原料易得、 可靠的p型znO。相对于GaN的研究，p型ZnO的许 成本低 、无毒以及 良好的机电耦合性能等优点， 多问题仍然有待解决，重点在于：①如何实现稳 因此，作为一种新型的直接宽带隙光电半导体材 定可靠的p型ZnO的可控生长；@ZnO