永冲电化学腐蚀制备n型多孔硅及其发光性能.pdfVIP

第 3期 No．3 2013年 6月 June2013 脉冲电化学腐蚀制备n型多孔硅 及其发光性能 宋晓岚，张颖，黄书涛，耿柏杨，蒙让彬，张铭婉，杨屹朝，钟一顺，喻振兴 (中南大学资源加工与生物工程学院，湖南 长沙 410083) 摘 要：采用脉冲电化学腐蚀法，以n型单晶硅为衬底制备 多孔硅 (n—PS)，通过扫描 电镜 纳．耄吣 (SEM)、室温500—700nm范围内荧光光谱 ，系统研究腐蚀时间、占空比和脉冲频率对n—PS的结 构形貌和可见光区室温光致发光特性 (PL)的影响，结果表明，相比直流电化学腐蚀方法，脉 米洮 冲腐蚀能获得孔径分布均匀且发光强度更高的多孔硅；随腐蚀时间、占空比和脉冲频率等腐蚀 科№ 条件的变化，其发光峰位及发光强度均有明显改变；当等效腐蚀时间为30min、占空比为0．5、 技_蚕 脉冲频率为10Hz时，制备的n—PS的PL强度较高，发光性能较好。 山 关键词 ：脉冲腐蚀 ；多孔硅 ；光致发光 PreparationandPhotoluminescencePropertiesofN-typePorous SiliconbyPulseElectrochemicalAnodization SONGXiao-lan，ZHANGYing，HUANGShu-tao，GENGBo-yang，MENGRang-bing， ZHANGMing-wan，YANGYi-zhao，ZHONGYi-shun，YUZhen—xing (SchoolofMineralsProcessingandBioengineering，CentralSouthUniversity， Changsha 410083，China) Abstract：N-typePoroussilicon fn—PS1waspreparedonaphosphorus—dopedn—typeSiwaferbypulseelectrochemical anodization．Thescanningelectronmicroscopy(SEM)andthephotoluminescence(PL)investigation(500~700nm)showed thattheformation，structure，morphologyandPLperformanceofn—PSwerecontrollablebyexperimentalconditions，such asequivalentetchingtime，pulsefrequencyandpulsedutycycle．Theporoussiliconpreparedbypulseelectrochemical etchingwasmoreuniform withhighPLintensity．Theinfluencesofexperimentalconditions．such asequivalentetching time，pulsefrequencyandpulsedutycycleonphoto1uminescencepeakandtheluminousintensitywereobvious．The highluminousintensityandPLperfomr anceofPScouldbeobtainedwithequivalentetchingtimeof30min，pulseduty cycleof0．5andpulsefrequencyof10Hz． Keywords：pulseelectrochemicalanodization；n—typeporoussilicon(n—PS)；photoluminescence 中图分类号：TN304．1 文献标识码 ：A 文章编号：1812—1918 (2013)03—0001—06