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TFT-LCD制造用钼薄膜溅射及其靶材.pdf

第 35卷 第 1期 中 国 钼 业 Vol_35 No.1 2011年 2月 CHINA M0LYBDENUM INDUSTRY February201l TFT—LCD制造用钼薄膜溅射及其靶材 赵 宝华 ,范海波 ,孙院军 (1.金堆城铝业股份有限公司技术中心,陕西 西安 710077) (2.西北大学物理系,陕西 西安 710069) 摘 要:薄膜晶体管作为关键器件直接影响薄膜晶体管液晶显示器的性能,钼作为电极和布线在薄膜晶体管的制 造中具有重要应用价值。本文在简要介绍薄膜晶体管液晶显示器的结构和原理基础之上,重点讨论了钼在其生产 过程中的应用 、钼薄膜的磁控溅射制备方法和工艺参数要求以及钼靶材的研究现状。 关键词:薄膜晶体管液晶显示器;钼薄膜;钼靶材;磁控溅射 中图分类号:TF841.2 文献标识码 :A 文章编号:1006—2602(2011)0l一0007—05 M oLYBDENUM SPUTTERING FILM AND TARGET FOR ’l ”l’一LCD MANUFACTURE ZHAOBao—hua,FANHai—bo一,SUNYuan-jun (1.TechnicalCenter,JinduichengMolybdenumCo.,Ltd.,Xihn710077,Shaanxi,China) (2.DepartmentofPhysics,NorthwestUniversity,Xian710069,Shaanxi,China) Abstract:Asthekeycomponent.thin—film transistordirectlydeterminesthepropertyofthethin—film transistor liquidcrystaldisplay(TfTr—LCD).Astheelectrodeandwritingmaterial,molybdenumhasimportantappliedval— HeintheproductionofTFT—LCD.Uponthefundamental structureand principleofTFTr—LCD.thismanuscript emphasizesduringtheTFT —LCD manufactureprocesstheapplicationvalueofmolybdenum .thepreparationmeth— odandtechnicalparametersofmolybdenum film bymagneticsputtering,andthecurrentstudysituationoftherela— tivemolybdenum sputteringtarget. Keywords:thin—film transistorliquidcrystaldisplay;molybdenum film,molybdenum sputteringtarget;magnetic sputtering 计算机和互联网的发展,使人类获得和传递信 作为TFr制造 中的电极、布线材料或阻挡层材料极 息的能力得到了极大延伸 ,而显示器作为人机交互 具应用前景 。。因此 ,Mo材料在 LCD 中的应用 界面的重要媒介,其作用不言而喻。液晶显示器 逐渐被关注,与其相关 的Mo靶材 的制备工艺研究 (Liquidcrystaldisplay,简称 LCD)作为当下各类数 也变得尤为重要。本文在简要介绍TFTr—LCD结构 码显示器 中的主流产品,受到越来越多用户的青睐。 及原理的基础上 ,重点讨论在其生产 中所涉及到 的 LCD中的薄膜 晶体管型 (Thinfilmtransistor,简称 钼薄膜 电极制备工艺及钼靶材研究现状。 TfTr—LCD)因具有屏幕反应速度快 、对 比度好 、亮

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