ZnO薄膜p型掺杂的研究进展.pdfVIP

第 18卷 第 1期 无 机 材 料 学 报 Vo1．18．No．1 2003年 1月 JournalofInorganicMaterials Jan．，2003 文章编号：1000．324X(2003)01—0011—08 ZnO薄膜P型掺杂的研究进展 叶志镇，张银珠，徐伟 中，吕建 国 (浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027) 摘 要 ：ZnO是一种新型的II—VI族半导体材料，具有许多优异的性能．但由于 ZnO存在诸 多的本征施主缺陷 (如空位氧 Vo和间隙锌 Zn1)，对受主产生高度 自补偿作用，天然为 n型半 导体，难以实现P型转变．ZnO薄膜P型掺杂的实现是 ZnO基光电器件的关键技术，也一直 是 ZnO研究中的主要课题， 目前 已取得重大进展，文章对此进行了详细阐述． 关 键 词 ：ZnO薄膜 ；P型掺杂 ；特性 中图分类号 ：TN304，0475 文献标识码 ：A 1 引言 ZnO具有许多优异的特性