掺磷四面体非晶碳薄膜电极的电化学伏安特性.pdfVIP

维普资讯 第 22卷 第 6期 无 机 材 料 学 报 Vo1．22．NO．6 2007年 11月 JournalofInorganicM aterials NOV．，2007 文章编号：1000—324X(2007)06—1056—05 掺磷四面体非晶碳薄膜电极的电化学伏安特性 刘爱萍，朱嘉琦，韩杰才，韩 潇，吴化平 (哈尔滨工业大学 复合材料与结构研究所，哈尔滨 150001) 摘 要： 采用过滤阴极真空电弧技术，以高纯磷烷气体为掺杂源制备掺磷四面体非晶碳 (ta-C：P)薄膜．利用 x射线光电子能谱和激光拉曼光谱表征薄膜的成分和结构，采用循环伏安和微分脉冲伏安分析薄膜的电化学 行为．结果表明，磷 的掺入没有引起薄膜非晶结构的明显变化，只是促进了 s 杂化碳原子的团簇，经过酸预 处理的ta-C：P薄膜在硫酸溶液中有宽的电势窗 口和低的背景电流；对 Cl一有催化活性；薄膜表面 电子传输速 度快；对水溶液 中Cu抖 和Cd抖 有检测活性，因此具有 良好导电性的 ta-C：P薄膜适于作为电极并有望用于污 水中重金属离子的分析检测等领域． 关 键 词：过滤阴极真空电弧；掺磷四面体非晶碳；电极；伏安行为 中图分类号：0484，0646，0657 文献标识码：A Electrochem icalPropertiesofPhosphorusInc0rp0rated Tetrahedral AmorphousCarbon Film Electrode LIUAi—Ping，ZHUJia-Qi，HANJie—Cai，HANXiao，WUHua—Ping (CenterforCompositeMaterials，HarbinInstituteofTechnology，Harbin150001，China) Abstract：Phosphorusincorporatedtetrahedralamorphouscarbon(ta—C：P)filmwasdepositedbya filteredcathodicvacuum arctechnologywithPH3asthedopantsource．Thecompositionandstructural characteristicswereinvestigatedbyX—rayphotoelectronspectroscopeandRaman spectroscope，andthe electrochemicalbehaviorsofta-C：P film wereexaminedby cyclicvoltammetry and differentialpulse voltammetry．Resultsindicatethatphosphorusimplantationdoesnotremarkablychangetheamorphous structureofthefilm butenhancestheclusteringofsp sitesdispersedinsp。skeletonandtheevolution ofstructrualordering．Ta—C：P film pretreatedbyacidexhibitsalargeelectrochemicalpotentialwindow andalow backgroundcurrentinH2SO4solution，aconsiderableelectrochemicalactivitytowardC1一， quickelectroderesponseandahighsignalforCu + andCd+ analysis．Thesecharacteristicsgreatly demonstrateapotentialapplicationof