掺杂对PMN铁电陶瓷烧结工艺和介电性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第 17卷 第 1期 无 机 材 料 学 报 Vol 17．No 1 2002年 1月 JournalofInorganicMaterials Jan 2002 文章编号：1000—324X(2002)01—0066—07 掺杂对 PMN铁电陶瓷烧结工艺和介电性能的影响 杨 毅 ，冯楚德 ，姚 文龙，喻佑华 (中 国科 学院上海硅 酸盐研究所功能陶瓷研 究与发展工程 中心，上海 200050) 摘 要 ：使用常用 的两步法 ，研究了基体掺杂不 同物质对 PMN 陶瓷的烧结工艺和介 电性能 的影 响 经研 究发现，当掺 杂 ImoI％Li20 时．可 实现 950~1000。C左右的 中温烧 结，材料 的常温介电常数和介 电损耗分别为 ]3500和 0．55％ ．都优于纯 PMN 当掺杂 2otol％时，可 以 将烧结温度降到 800~900。c的低温烧结范 围．且介 电损耗 明显下