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维普资讯 第 22卷 第 4期 无机 材料 学报 Vo1．22．NO．4 2007年 7月 JournalofInorganicM aterials Ju1．，2007 文章编号：1000—324X(2007)04—0742—07 沉积工艺对高 栅介质 ZrO2薄膜生长行为的影响 马春雨 ，李 智 2，张庆瑜 (1．大连理工大学 三束材料改性 国家重点实验室，大连 116024；2．大连大学 机械工程学院，大 连 116622) 摘 要：采用反应射频磁控溅射法在 si(100)基片上制备了ZrO2薄膜，通过高分辨电子显微镜、原子力显微镜， 研究了沉积工艺参数 (主要包括氧分压和沉积温度)对 ZrO2薄膜的表面形貌和微结构的影响．研究结果显示；