沉积条件对CVD—SiC沉积热力学与形貌的影响.pdfVIP

维普资讯 第 17卷 第 4期 无 机 材 料 学 报 、，01．17．No．4 2002年 7月 JournalofInorganicM aterials Ju1．2002 文章编号：1000—324X(2002)03·0877·05 沉积条件对 CVD．SiC沉积热力学与形貌 的影响 肖 鹏 ，徐永东 2，黄伯云 (1．中南大 学粉末 冶金 国家重点实验室，长沙 410083；2．西北工业大学凝 固技术 国 家重点实验室，西安 710072) 摘 要 ： 以 CH3SiC13为源物质，H2为载气，Ar气为稀释气体 ，研 究了沉积温度和沉积气 氛压力对 SiC沉积形貌的影响．应用 晶体成核一长大理论和 SiC沉积热力学理论 ，解释 了 SiC 沉积的各种形貌．研究表 明：降低系统压力和提高沉积温度，能减小 SiC在气相 中形核所需的 最大能量，促进形核． SiC沉积热力学随沉积条件的改变决定 了 SiC沉