SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析.pdfVIP

第 l7卷第 1期 功能材料与器件学报 Vo1．17，No．1 2011年2月 J0URNALOFFUNCTIONALMATERIALSAND DEVICES Feb．，2011 文章编号 ：1007—4252(2011)01—0120—05 SiGe上 NbA10栅介质薄膜微结构和电学性能分析 宋朝瑞 ，程新红 ，何大伟 ，徐大伟 (1．同济大学，上海 200092；2．中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海200050) 摘要：本文针对 SiGe上A1O，／NbAIO／A1：0 三明治结构介质栈的热稳定性和 电学性能进行 了研 究。高分辨透射电镜(HRTEM)测试表 明退火后薄膜是结晶的，同步辐射x射线反射率(XRR)和 x射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构，有0．5nm 的界面层存在，x射线光电子谱 (XPS)表明界面层主要成分是 SiOx，介质层与SiGe衬底之间的价带偏移是2．9eV。电学测试