(五)电极连线原子迁移失效.pdfVIP

微电子器件与微电子器件与IC 的可靠性与失效分析的可靠性与失效分析 微电子器件与微电子器件与 的可靠性与失效分析的可靠性与失效分析 ——电极连线的——电极连线的原子原子迁移失效迁移失效———— ————电极连线的电极连线的原子原子迁移失效迁移失效———— Xie Meng-xian. ( 电子科大，成都市) 对于半导体器件和集成电路，其电极连线的金属膜当发生原子迁移时，就会出现空洞、 甚至断裂，从而将可能造成电路失效。在IC 中因为电极连线断裂所造成的失效主要有电迁 移和应力迁移两种效应。 （一（一））电极连线的应力迁移失效电极连线的应力迁移失效 （（一一））电极连线的应力迁移失效电极连线的应力迁移失效 电极连线的应力迁移是在大规模集成电路（如64Kbit DRAM ）中所发生的一种失效模 式。这种失效模式与在大电流密度下所发生的电迁移失效模式不同，应力迁移是在没有通电 o o 情况下也会出现的一种失效，即是在 150 C～250 C 条件下进行老化处理时就会发生断线的 一种失效。 （1）产生电极连线应力迁移的原因： 观察到Al 电极连线的应力迁移—— 断裂有两种形式：一是出现整齐的狭缝状的断口； 二是出现楔子状的断口（Al 缺少的断口）。 导致出现这种连线断裂的主要原因往往与电极连线上的保护膜有关。因为当在Al 连线 上面没有保护膜时几乎不出现断裂，而在覆盖有溅射Si 2/CVD-PSG 双层膜、或者溅射Si 2/ 等离子体CVD-SiN 双层膜时，则Al 连线就容易出现断裂（失效率要高出2 个数量级以上）， 并且其中应力较大的溅射Si 2/等离子体CVD-SiN 双层保护膜的所造成的失效率更高。 具体造成应力迁移的机理有如下的两种： ①具有收缩应力的保护膜，当它通过弯曲而释放应力时，即使得其下面的电极金属膜受 到压缩应力，从而造成Al 缺少的断线； ②电极金属膜与 Si 衬底、或者与保护膜的热膨胀系数不同所造成的应力，也有可能造 成断线。这在微细线条的布线中，出现楔子状断口的情况，往往就属于这种机理。 例如，对于宽度为30mm 的金属连线，若采用具有收缩应力的p-SiN 来作为保护膜时， o o 在高温（450 C～500 C ）下即常常发生Al 缺少的断裂；但若覆盖具有拉伸应力的PSG 来保 护时，则连线不会发生这种断裂。如果考虑温度变化的影响，则在升温过程中，观察到较窄 的连线不会发生Al 缺少的断裂，但在冷却过程中则容易发生这种断裂；并且当从高温徐徐 降温、以及在连线较宽的情况下，将明显地发生Al 缺少的断裂，而在急速冷却过程中较窄 的连线也不会发生这种断裂。 （2 ）防止电极连线应力迁移的措施： ①减小覆盖保护膜加在电极金属膜上的拉伸应力。例如，采用聚酰亚胺之类的柔软保护 膜即可防止应力迁移。 ②因为在热处理过程中所出现的Al 缺少，在本质上是与应力迁移相同的，所以可以优 化冷却条件来减小Al 原子的迁移，以降低失效几率。 ③增加电极连线金属膜的机械强度，以提高抗应力迁移的能力。例如，在连线的 AlSi 合金中加入Cu 或Ni ，或者在Al 膜上采用CVD 方法覆盖一层W 膜。 总之，在芯片表面上，包括在电极连线的金属膜上面，覆盖一层保护膜，这是表面钝化、 以提高稳定性和可靠性所必须采取的一项重要措施，而且这一层保护膜对于增强抗电迁移的 能力也是有效的；只是这一层保护膜如果不当的话，反而会导致应力迁移，引起额外的失效。 （二（二））电极连线的电迁移失效电极连线的电迁移失效 （（二二））电极连线的电迁移失效电极连线的电迁移失效 微电子器件和电路的电极连线所发生的电迁移，是在电流密度很大（≥105A/cm2 ）时出 现的一种重要失效模式，即是连线金属的原子在很大电流密度下产生迁移而造成连线断裂或 者短路的一种现象。对于大功率器件