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半导体封装原材料特性简介 一、“工业的黄金”——铜（最古老的金属引线框架是半导体芯片的载体；并为半导体、芯片提供电流和信号输入、输出的通路，同时散逸半导体芯片产生的热量。国内铜带在电导率，抗拉强度、延伸率方面基本可满足引线框架生产的要求，但存在下几部分不足：硬度不稳定国产铜带硬度常常不能完全符合客户要求，有时太低，有时太高。硬度低，会影响引线框架的冲制，卸料不畅，极易产生毛刺而使引线框架达不到质量要求，在封装后因材质软而产生弯曲，不利于编带生产。硬度太高，在引线框架冲刺时极易造成冲制模的磨损，增加修复模具的几率，提高生产成本，降低生产效率。在封装后，成品使用极易造成管脚折断而成为废品，在引线框架生产中，有条检验要求就是管脚在弯曲９０°三次后不断裂，而硬度太高，就达不到此要求。硬度的控制，应该不是技术问题，而是过程控制的原因。软化点太低国产铜带有时常温下硬度达到要求，但经常发生在４００～５００度高温下，硬度迅速下降的现象，这就是材料的软化点太低，在后封装工艺中，粘片焊线时温度会有短时间的高温，要求材料硬度不能变化太大，在引线框架的检验标准中，会进行５００，１分钟的高温试验，会发现有材料会很快变形而失去弹性。内应力不均匀铜材的内应力消除，而使其均匀分布，对于引线框架的生产极其重要。国内铜材应力的问题常常在引线框架生产中带来较多的质量问题，为了保证引线框架的平面度，在生产过程中会有两道校平工序，冲制一次，切断一次，如果原材料内主力消除得好，引线框架的成品平面度可以达到保证，而使产品扭曲标准达到要求；内应力消除得不好会使产品在最终产生较大的变形，流入用户手中，会造成封装时卡轨停机。宽度与厚度公差超差国内铜带在宽度、厚度与侧弯、横弯、卷弯、扭曲度等公差方面，国产铜带常常超差。特别是宽度公差方面的问题较多，由于分切的原因，在同一卷铜带上出现宽度不一的现象。考虑到成本的原因，许多引线框架产品的宽度就是要求铜带的宽度，原材料的宽度不一，将导致引线框架产生质量问题。宽度小于规定值，会使引线框架有关尺寸偏移，宽度大于规定值，将在冲制工序中，进入冲制模中卡死，严重的会引起模具损坏，增加生产的成本，造成引线框架的质量达不到封装厂的质量要求。外观要求不合格引线框架用铜带在外观上要求非常严格，例如凹坑、裂痕、起皮、模痕、刮伤、麻点、粘污、生锈、氧化等问题都会给框架生产带来致命的缺陷，框架生产厂对凹坑、模痕、刮伤、毛刺等检验都有具体的要求。铜带表面凹坑，如果超标存在，会因为积存在里面的杂物在生产过程中的电镀工序中清洗不干净，而使镀层结合力不好，产生起泡。模痕和刮伤，在电镀后更加明显，除影响框架的外观外，如在有效工作区内，还会给后封装带来芯片结合不良的后果。因为框架生产是自动化、连续的大批量生产，不可能去对铜带一卷、一段地挑选使用。而后封装工厂对框架质量却是使每一只引线在生产过程中得到验证，要使框架的质量保证后封装要求，铜带必须在外观上根本消除以上缺陷。包装简陋铜带的外包装要求牢固、结实，适于长途运输，每一卷的包装要做到避免运输过程中的损坏和氧化。外包装和内包装都应有完整的标签，可以告知使用方完整的信息，包括重量、盘数、生产日期、制造厂商、规格、材料型号、每盘重量等等。国外进口的铜带在这方面做得非常仔细，而国产铜带却明显的地过于简陋。铝的物理性质铝是银白色的轻金属，较软，密度2.7g/cm3，熔点660.4，沸点2467，铝和铝的合金具有许多优良的物理性质，得到了非常广泛的应用。铝对光的反射性能良好，反射紫外线比银还强，铝越纯，它的反射能力越好，常用真空镀铝膜的方法来制得高质量的反射镜。真空镀铝膜和多晶硅薄膜结合，就成为便宜轻巧的太阳能电池材料。铝粉能保持银白色的光泽，常用来制作涂料，俗称银粉。纯铝的导电性很好，仅次于银、铜，在电力工业上它可以代替部分铜作导线和电缆。铝是热的良导体，在工业上可用铝制造各种热交换器、散热材料和民用炊具等。铝有良好的延展性，能够抽成细丝，轧制成各种铝制品，还可制成薄于0.01mm的铝箔，广泛地用于包装香烟、糖果等。铝合金具有某些比纯铝更优良的性能，从而大大拓宽了铝的应用范围。例如，纯铝较软，当铝中加入一定量的铜、镁、锰等金属，强度可以大大提高，几乎相当于钢材，且密度较小，不易锈蚀，广泛用于飞机、汽车、火车、船舶、人造卫星、火箭的制造。当温度降到-196时，有的钢脆如玻璃，而有些铝合金的强度和韧性反而有所提高，所以是便宜而轻巧的低温材料，可用来贮存火箭燃料液氧和液氢。王水王水是由浓HNO3与浓HCl的混合物。实验室用浓HNO3与浓盐酸体积比为13配制 HNO3+3HCl=2H2O+Cl2+NOCl 王水中含有硝酸、氯气和氯化亚硝酰等一系列强氧化剂，同时还有高浓度的氯离子，王水的氧化能力比硝酸强，一些不溶于硝酸的金属如金、铂等能被王