整流二极管工艺介绍.docVIP

超级整流二极管SuperexⅡ技术与应用, [( g7 ?- j, E5 w突破传统制程之新一代整流二极管: L) f; R C {% X整流二极管是最基本的电子组件，可将发电厂所供应之交流电转变为电机系统与电子电路所使用之直流电(如图1)，其功能很单纯却也很重要，小至家电用品，大至工业设备用电，整流半导体扮演的角色举足轻重，无所不在，少了它电器产品将无法运作，早已经普遍应用在各式各样的电器用品中，然而自从美国奇异(GE)发明了性能优异的GPR玻璃球全包覆形式之整流二极管后，直到现在将近三十年的时间，整流二极管护封的技术，并无太大的变化，直到最近国人推出了SuperexⅡ，让整流二极管终于有了突破。2 U0 t/ j6 }# u) M1 l整流二极管之运作原理2 M0 h0 o9 O/ O- N( F1 n5 J. M最常见的半导体材料为四价的硅，然而纯硅导电性并不好，但假如加入五价的磷、砷或锑等杂质原子，杂质原子最外围的五个电子除了四个电子跟硅形成共价键外，多出的一个电子便会成为可以任意移动的自由电子，而大幅增加导电性(如图2)；同样也可以加入三价的硼、铟或铝杂质原子，杂质原子最外围只有三个价电子可跟硅原子形成三个共价键，仍缺少一个价电子形成共价键，因此可接受其它价电子之移转，形成电洞之作用。(如图3)6 f. [ \ Z1 w: z9 V$ r* @4 I掺杂五价杂质原子之硅半导体，称做N型半导体，而掺杂三价杂质原子之硅半导体，称做P型半导体。单纯的P型及N型半导体，并不具有单向导通之整流效果，但假如我们将P型半导体及N型半导体，接合在一起后，就会有单向导通之效果，通常我们以接合(Junction)来称呼半导体组件间之接合，而当我们将P-N半导体的P面接上正极，N面接上负极时(如图4b)，称做顺向偏压，此时N面的电子跟P面的电洞，会受到受到电压的驱动往中间的Junction面移动，并在Junction面结合消失，促使电子跟电洞不断朝向Junction面移动，达到电流导通之效果。反之N面接上正极，P面接上负极时(如图4c)，称做逆向偏压，P面的电洞及N面的电子，各往两端移动，使得半导体中间缺乏载子，没有电荷可以流动，所以无法导电。这也就是P-N二极管可以整流之原因。5 V# ~7 g6 \. z8 P4 L5 j??Z而在实际应用上，P-N二极管之制造方式，乃是将已经掺杂有磷原子之N-Type之硅晶圆，选择其中一面，做三价硼原子的扩散制程，因此硼原子浓度高的那一面，便成为P-Type，另一面则是N-Type，于是在晶圆中产生P-N Junction的界面(如图5所示)，再依照所需求大小，把硅晶圆切割成一块一块单一晶粒。$ q: u- g) n% s+ s, ^. P/ l然而若要使整流二极管达成整流效果，电流必须只能从Junction接合处通过，才能有整流作用；但在逆向偏压状态下，电流也会不经过Junction面的阻挡，由晶粒的切割面，透过空气直接由N面流到P面，产生逆向漏电(IR)的现象(如图6)，此现象在高电压下尤其明显；因此在切割面上，还要做护封(Passivation)的处理，以隔绝空气及污染，并避免P-N接口之损伤，来达成整流之作用。也可以说护封效果的好坏，为决定整流二极管质量好坏的最关键因素。! `0 N/ F9 W Y+ N??vJunction护封技术之种类; Z7 R3 y# O, d+ d. W5 x0 X! K可作为Junction护封材料大致可分为三类:% l# U4 B7 Q3 }1 v# y: f$ W t* d一.? ? ? ? 氧化硅(SiO2):因SiO2具有良好绝缘性，若在晶粒切割面上，将Si氧化成SiO2，长上足够厚度之SiO2层，就可以保护住Junction面，也可达成护封效果；但由于表层的氧化硅会阻碍氧原子继续扩散进入内部与硅反应，因此SiO2层不易增厚，若要达到所需求之厚度，其技术难度及成本相对提高甚多，所以甚少被采用。$ ]??| l! t4 I6 \9 p二.? ? ? ? 硅胶(Silicone Rubber):硅胶属于高分子聚合物，耐电压较低、绝缘性较差、抗湿气性较差、且不能承受太高之温度，在高温下长时间使用，材料会有老化现象发生，逐渐失去护封效果，导致产品Failure，可靠度最差，但由于便宜有材料成本之优势，因此大多应用在低阶产品上。1 K% e- H9 q??I( _; X. Z三.? ? ? ? 玻璃(Glass):玻璃本身是一种非晶质的无机物，不但绝缘性佳、可承受高电压并抗湿气(参考表一)，是相当好的护封材料，但成本较高，大都应用在中高阶的产品上。, @* w% F5 h1 n/ J传统护封技术，可分为三类，若再加上SuperexⅡ内含芯