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作在放大区时才用直流偏置电路,工作在开关状态时为了能可靠的工作在饱和与截止状态,不需要直流偏置电路. 另外纠正一下,三极管工作在放大区时发射结正偏,集电结反偏, 工作在饱和区时发射结与集电结都正偏, 工作在截止区时发射结反偏即可, 你说的电路中,单片机的IO口上接一个电阻与三极管基极连接,发射极接地,集电极接负载与正电源相连.这个电阻主要是防止单片机的输出电压过高而造成三极管基极电流过大而损坏三极管与单片机电路,当单片机输出低电平时,三极管可靠截止,即工作在载止区,当单片机输出高电平时,通过基极电阻的限流,三极管的基极电压将达到0.7V以上,它的CE间电压将在0.3V左右,所以两个结都正偏,三极管工作在饱和区. . 补充，你是说单片机的I/O端口接5.1K电阻接PNP三极管基极，发射极接正电源，集电极接一发光二极光并串联一个二极管接地。当单片机输出高电平时，基极电压为高电平，三极管载止，相当于三极管发射结截止，三极管载止，UCE=UCC。当单片机输入低电平时，发射结正偏，三极管导通，此时UCE=0.3V，集电极电位纸比电源电压低0.3V，而基极电位比电源电压低0.7V，所以两个结均正偏，三极管工作在饱和状态。 场效应管和三极管的功能、作用一样，可以用于放大、振荡、开关电路。 N沟道场效应管和NPN三极管类似，工作条件是在栅极加正向极性控制电压，在漏极加正极性电源电压，改变栅极电压就可以改变漏极与源极之间的电流大小。 P沟道场效应管和PNP三极管类似，工作条件是在栅极加负极性控制电压，在漏极加负向极性电源电压，改变栅极电压就可以改变漏极与源极之间的电流大小。 目前应用比较广泛的是N沟道场效应管，就像三极管NPN型应用比较多一样。 1.PNP三极管导通条件是当给它通电时（通电如何通你知道么，就是E加电源电压，如5V，C极过一限流电阻接地），那么如果你给控制端即B极一个低电平，此时就可以导通，导通电压（即CE间电压）至少小于0.2V，如果此时你B极是个高电平，那你再测你的CE间电压，可能就是有比较大的压降，比如5V，那自然就不算通了。简单点理解吧，一个开关闭合以后，它两端触点即使过再大电流压降也会很小，而一个开关，它两端压降自然就为加于它两端的电压，自然就不算通了 2 截止就是BE反偏，即EB 3 饱和线路就是CE 放大：b极提供信号（输入） c提供能量 e输出 常用在模电 还有一个重要的特点：Ubc在线性电路中通常为0.7v 这个性质可以稳压 稳流等 饱和：利用它的开关特性 常用在数字电路 晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量Ic与基极电流的变化量Ib之比为： β= Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。