CNx纳米管的制备、结构观察及低场致电子发射性能研究.pdfVIP

第53卷第8期2004年8月 物 理学 报 PHYSICASINICA ⑥2004 1000—3290／2004，53(08)／2786—06 AC：TA Chin．Phys．Soe． CNz纳米管的制备、结构观察及低 场致电子发射性能研究* 丁 佩1’2’+ 晁明举2’ 梁二军2’ 郭新勇3’ 杜祖亮3’ ”(郑州航空工业管理学院应用科学系，郑州450015) 2’(郑州大学物理工程学院，材料物理教育部重点实验室，郑州450052) 3’(河南大学特种功能材料实验室，开封475001) (2003年10月13日收到；2004年1月9日收到修改稿) 采用高温热解法，以乙二胺为前驱液，在沉积有铁催化剂的P型硅(111)基底上制备出了定向生长的CN，纳米 管．利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CN；纳米管进行了形貌观察和表征．CN，纳米管 的高度在20 nm之间，具有明显的“竹节状”结构，结晶有序度较差．对cN：纳米管薄膜进 btm左右，直径在50—100 行低场致发射性能测试：外加电场为1．4V／gm，观察到20心／cm2发射电流，外电场升至2．54v，肛m时发射电流达到 1．280mA／cmz，在较高外电场下，没有发现电流“饱和”．这比相同实验条件下改变前驱液制备出的碳纳米管和硼碳 氮纳米管的场发射性能优越．还在“竹节状”结构的基础上对CN。纳米管的场致电子发射机理进行了讨论． 关键词：CN，纳米管，高温热解，“竹节状”结构，场致发射 PACC：8120V，6116D，7830，7970 和螺旋性无关¨“．实验结果也证实，碳氮(CN。)纳米 1．引 言 管具有优越的金属性能，其隧道电导率普遍高于多 壁的碳纳米管，电子传输性能比多壁碳纳米管优 碳纳米管具有优越的场致电子发射性能．关于 越¨5I，电阻率普遍低于未掺杂的碳纳米管．对定向 碳纳米管的场发射性能研究一直是其应用研究的热 生长的CN。纳米管的场发射研究表明，CN。纳米管 点，无论是在理论模型还是在实验室与工业技术相 8’驯． 在用作场发射器件方面比碳纳米管更优越¨6_1 结合等方面都开展了大量系统而深入的研究工 因此，CN。纳米管被认为在未来有可能是纳米光电 作¨“…．但是碳纳米管可以表现为金属性或半导体 子器件的替代品，具有很高的研究价值和广阔的应 性，其电学性能与纳米管的螺旋性、形态、层数、直径 用前景，进一步完善CN。纳米管薄膜的制备技术， 以及缺陷有关--1|，上述因素在碳纳米管的制备过程 提高CN。纳米管的场致电子发射性能是一项很有 中很难精确控制，使得碳纳米管的电学性能存在很 意义的研究工作．但是由于对CN。纳米管的研究起 大的不确定性．尽管目前碳纳米管的可控制生长研 步较晚，制备技术以及性能的研究远没有碳纳米管 究已有进展¨2’”o，但在用于制备具有特定电学性能