ZnCoMnO薄膜的制备、结构和磁性研究.pdfVIP

刘艳美 等：ZnCoMnO 薄膜的制备、结构和磁性研究 1205 ZnCoMnO 薄膜的制备、结构和磁性研究* ∗ 刘艳美，宋学萍，韩家骅 （安徽大学物理与材料科学学院，安徽 合肥 230039 ） 摘 要：在 200~500℃的衬底温度范围，用电子束 铁磁性，最高居里点为 45K 。因此，对ZnO 薄膜材 蒸镀法制备了具有室温铁磁性的 ZnCoMnO 薄膜。 料而言，掺杂元素的种类和含量对其磁性能有重要影 400℃制备的薄膜饱和磁化强度和剩磁最大。X 射线 响。掺杂元素组和含量选定后，ZnO 薄膜材料的磁性 分析表明，除200℃制备的薄膜结晶和取向较差外， 能将取决于其制备工艺，本文拟研究用电子束蒸镀法 其它温度的薄膜都沿C 轴高度取向，（002 ）面间距和 制备具有铁磁性的 Zn0.80Co0. 15Mn0.05O 薄膜的衬底温 衍射峰半高宽 （FWHM ）接近相等。讨论了衬底温度 度条件，探讨薄膜的铁磁行为与衬底温度和晶体结构 对薄膜晶体结构和磁性的影响。 的关系。 关键词：ZnCoMnO 薄膜；室温磁性；衬底温度；电 2 薄膜制备及测试 子束蒸镀 中图分类号：TB43 ；O482.54 文献标识码：A 2.1 电子束蒸镀用ZnCoMnO 靶材的制备 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 取纯度分别为98.5%、99.5%和 85% 的Co2O3 粉 1 引 言 末、ZnO 粉末和 MnO2 粉末，按一定量的化学计量比 混合，放入玛瑙研钵内充分研磨，所得粉末样品在大 近几年，稀磁半导体材料由于将载流子的荷电性 气中900℃预烧10h。然后，将烧结后研磨好的粉末压 和自旋集于一身，有望用来制作新型功能器件，比如， 成直径为1.5cm 的圆片，再放入烧结炉中于1100℃保 记忆元件、探测器、和光发射源等等，引起人们极大 温 10h 自然降温，得到镀膜用的靶材。其XRD 衍射 的兴趣。人们努力将磁性和半导体现象整合起来，以 谱表明靶材是ZnCoMnO 单相固溶体，无杂相生成， 便应用和解释新现象。传统的集成方法就是用磁性离 如图 1 所示。 子如 Mn2＋、Fe2＋、Cr2＋掺入非磁半导体中。Sato 等[1] 2.2 ZnCoMnO 薄膜的制备 于 2000 年通过电子结构计算证明了过渡金属原子 将烧结好的ZnCoMnO 圆片作为靶，采用电子束 （Fe, Co, Ni, V, Cr, Mn ）掺入ZnO 中其磁距表现为铁 蒸发沉积成膜工艺，在单晶 Si( 111) 衬底上制备 磁有序。同年，Dietl 等[2] 的理论计算也表明Mn 掺杂 ZnCoMnO 薄膜，蒸发室本底真空度为6 ×10-4Pa ，源 的ZnO 在室温将表现出铁磁行为。ZnO 基材料体系 基距为20 ㎝，平均沉积速率为0.2nm/s,样品架旋转速 中铁磁行为在理论上的发现意味着人们有可能制备 率 10 转/min 。在温度分别为200 、300 、400 、500 ℃ 出新型 ZnO 透明铁磁材料，这将对磁光器件在工业 的衬底上制得薄膜。薄膜厚度通过FTM—IIIB 型晶体 上的应用产生深远的影响。因此，