CVD掺硫金刚石薄膜的应力研究.pdfVIP

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CVD掺硫金刚石薄膜的应力研究.pdf

第3l卷增刊 中 国 激 光 V0l 3l,Suppl. 2004年3月 CmNESEJOURNALOFLASERS March.2004 文章编号:0258_7026(2004)supplement旬480-03 CVD掺硫金刚石薄膜的应力研究 赵庆勋‘,王永杰1,南景宇2,杨景发1,闫正, (1河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002;2张家口师范专科学校物理系,河北张家口07印00) 摘要 以【a{AI,6r暇S】为工作气体,采用辉光等离子体辅助化学气相沉积(c哪技术,对掺琉金刚石薄膜的应力进行了研究,结 果表明:在典型的掺硫金刚石薄膜制备工艺条件下,随着硫碳比的增加,总应力和本征应力星减小趋势,在硫碳体积比届。=t2x 1胪时,总应力有最大值23GPa;在岛庐6.5×10。时.本征应力可以抵消热应力,而使总应力的绝对值最小,在此条件下所合成的金 刚石薄膜与衬底的附着性较好.有利于金剐石薄膜的稳定生长。分析认为金刚石薄膜的晶粒边界密度.印t碳相等杂质分别是产生 张力、压力的主要原因。 关健词 薄膜物理学;化学气相沉积;金刚石薄膜;掺杂;应力 中围分类号0埘文献标识码A of CVDSlllfur ThinFnms Stm鹦StIldy DopedⅨ舢ond Z}认O Qing—xunl,WANGYong_jiel,MANJing—yu2,YANGJiIIg—fal,W蝌执en91 1 cb脚eo,用地,“cs矾dn咖加幻M胁b西研“附3{劬肋甜H聃协b瓯071002,a嘞协; , 、 PD印舯咖te脚0,用略础cs,动掰醺融‘舭吡Ⅳorm叫Cm西删%孰蜘硝·口k∞‘日曲西075000.o嘞m, A妇嘶tsIlI童11r min矗l鹏havebeen doped出amoIId c}唧=TIical syn吐Iesio酣via衅awpl鹊ma舶疏吐酣岫t励ament7apor Thes虹ess凹0fthe脚Imhave d印∞i廿on(GP—cⅥ))u面IIgg姻咖xtur船0fme山锄e.时衄曲,AIg蚰aIldhydrog帆sl皿de of heen时曲ed鹅a缸nc廿∞of廿Iev01t曲er甜o meⅡ岫e the lIydrog朗sumde(H2毋to0GH0曷mⅡ陀regu怕曲ow廿Iat耐tlI i枷r画cs帆ss iILcfe峨ofjktlIetotal啦ress柚d dec坤a∞.The洲8tre站h啦协em舢dmum23GPawhen‰姆4200 ppm; meirI城rI商cs咖caILbal锄cetl|eth唧algt嗍蜘dttIetotal the酬嘶l盈m8have掣)od珊le弛nceonthe8ubg口ates.itisgood妇妣gcabm删onof龇恤嗍d鲫wtlLn∞be c叩cIuded岫协ete惜Ⅱeg呻鹄andthe s缸esB 00mp弛s商vea聘

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