基于PEEC方法的片内螺旋电感建模.pdfVIP

第26卷第4期 半导体学报 VoI．26No．4 2005年4月 CHINESEJOURNAL0FSEMICONDUCTORS Apr．，2005 基于PEEC方法的片内螺旋电感建模* 李富华k2赵吉祥2，s 李征帆2 (1苏州大学电子信息学院，苏州215021) (2上海交通大学电子工程系，上海200030)‘ (3中国计量学院信号与信息处理系，杭州310018) ， 摘要：采用部分元等效电路方法，结合近似的三维闭式格林函数，在10GHz以下的频率范围提出了一种针对有耗 硅衬底上螺旋电感的准静态建模新方法．该方法充分考虑了有耗的硅衬底、趋肤效应、接近效应等因素对螺旋电感 电特性的影响，通过与全波分析方法对比，证明在相当宽的频率范围该方法是有效、可行的，可广泛应用于微波和 射频硅集成电路的优化设计和仿真． 关键词：片内螺旋电感；部分元等效电路；硅衬底集成电路；微波无源电感 EEACC：2140；1350；2560 中图分类号：TN454 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005104—0770—05 限性，不便于优化设计和仿真．利用商用的全波电磁 1 引言 仿真工具虽然可以对任意结构的螺旋电感进行准确 建模，但效率太低，不便于工程设计．为了快速准确 随着硅集成电路工艺水平的不断提高，晶体管 地建立满足工程设计的螺旋电感集总参数模型，文 的特征频率已近百吉赫兹，特别是深亚微米CMOS献[3]采用了准静态的方法，将螺旋电感看作许多导 集成电路，由于其功耗小、成本低，因此传统的由 体线段的级联，首先建立单一线段的集总参数模型， GaAs等高电子迁移率材料生产的微波、射频集成再考虑线段之间的相互影响．但该方法采用了二维 格林函数近似计算电位系数，而没有考虑导体的趋 电路逐渐被CMOS工艺所替代口]．在深亚微米 CMOS射频集成电路中，为了降低电源电压、功耗、肤效应和导体之间的接近效应，因此误差较大；文献 噪声以及减小信号的畸变、提高工作频率，采用射频 [4]采用准静态全电荷格林函数方法建模，对于简单 的多层结构效率较高，但对于多层介质该方法有一 电感是很好的解决方法．因此自从1990年Nguyen 定的局限性；文献[5]采用准静态保角变化的方法建 和Meyer[2]首次在硅集成电路中引入螺旋电感之 后，螺旋电感便在射频硅集成电路中得到了广泛应 模，该方法效率高，在1GHz以下比较精确，但在较 高的工作频率下误差较大．部分元等效电路方法 用．由于硅衬底的电阻率较低(约10Q·cm)，有耗 elementuivalent 的硅衬底严重影响着螺旋电感的电特性，因此硅衬 (partial eq 底上的螺旋电感难以准确建模，严重制约着射频集 静态和全波分析方法之间，被广泛应用于微波和射 成电路的设计和仿真．为此许多设计者利用实验测 频电路的建模中[6’7]，为了克服上述文献中的局限 试的手段建立了螺旋电感的集总模型，该方法对于 性，本文采用PEEC方法结合三维格林函数对片内 特