可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计.pdfVIP

维普资讯 第6卷 Vol6 中LNA部分采用高效率高增益宽带级联型分布放大器取代常规的行波式分布放大器，使得放大器级数 显著减少；频率均衡放大器提出用一种利用FET作可调元件的嵌入式低损无源网络来取代。使得放大 器的增益特性在频带中部下凹可调，补偿 了行波管 “山丘状”功率增益特性。在此基础上完成设计的 MMICLNA，仅使用3个0．25XIm ×l20XImpHEMT，在6GHz-18GHz频带内。小信号增益 14．3 ±0 ， 8dB，输入、输出反射损耗一10dB，NF5dB；嵌入可调增益均衡网络后，在其他性能参 数基本保持不变的前提下，频带中部引入的电调衰减范围超过6．5dB，完全满足MPM要求。 关键词 ：微波单片集成 电路 ；频率均衡器；可调增益 ；级联型分布放大器；微波功率模块 中图分类号：TN402 文献标识码 ：A 文章编号：1681—1070(2006)06·31—06 DesignofaNovelMonolithicMuIti-Octave-Frequency-bandLowNoiseAmplifierwith AdjustableGain-equalizingCharacteristic WangZhen—sheng，ChenXiao-jian，ZhengWei—bin，LiHui (NationalKeyLaboratoryofMonolithicIntegratedCircuitsandModules．Nanjing 210016．China) Abstract：Thedesignapproachesofanovelmulti--octave--rfequency--bandlow-·noiseamplifierwithan adjustablegainequalizingcharacteristichavebeendevelopedinthispaper．Theamplifiercombinestwo differentcircuits(multi—stagemonolithicwide—bandlow-noiseamplifierandmonolithicwide—band frequency—equalizingamplifier)．whichconsistoftherfont—endofhtesolid—statepoweramplifiers(SSPA) formicrowave—power—module(MPM )use，intoasingleMMICchip．Thecascadedsingle—stage distributedamplifier(CSSDA)withmuchbetterperformancesingainandefficiencyhasreplacedthe conventionaltraveling—wavedistributedamplifierindesigningwhichresultsingreatlyreducingamplifierstages ofLNA． Alow—losspassivenetwork．inwhichaFETwasadoptedasanadjustableelement，wasembedded inhteamplifierThissimpleembeddednetworkmakesthecircuit’Sgain—bnadcharacteristiccurve c‘oncave’ ． andadjustablewhichcompensatesforthe h“ill—like”gainresponseofTraveling—WaveTube．Basedonthe naalysis，thedesignedMMIC2-stagelow—noisema plifierusesonly30．25 m ×120 mpHEMTsandhas th