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2015-09-07 发布于重庆
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压电薄膜特性参数的测量方法.pdf

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第31卷第4期压电与声光 V01．31No．4 PIEZOEI。ECTECTRICS＆ACOUSTOOPTICS 2009年8月 Aug．2009 文章编号：1004—2474(2009)04—0608～05 压电薄膜特性参数的测量方法王青萍1’3，范跃农2“，姜胜林3 (1．湖北第二师范学院物理与电子工程系，湖北武汉430205；2．景德镇陶瓷学院机械电子工程系，江西景德镇333403； 3．华中科技大学电子科学与技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心，湖北武汉430074) 摘要：随着电子元器件向微型、高灵敏、集成等方向发展，薄膜材料及器件在微机电(MEMS)系统中得到广泛应用，而测量压电薄膜特性参数的方法与体材料相比有很大的不同。介绍了当前测量压电薄膜特性参数的两大类方法：直接测量法(包括气腔压力法、悬臂梁法、激光干涉法和激光多普勒振动法)和间接测量法(传统阻抗分析法)，详细分析了这些方法的基本原理、测试表征、应用状况及存在的问题，比较了这些方法的优缺点，并对未来压电薄膜特性参数的测试表征作了展望。关键词：压电薄膜；压电参数；测量方法中图分类号：TN30；TM282文献标识码：A MeasurementMethodsfor CoefficientofPiezoelectricThinFilms Piezoelectric WANG Qing-pin91”。FANYue-non92“，JIANGShengolin3 Ceramic (1．Hubei ofEducation。Physics＆ElectronicsDept．Wuhan Institute， University 430205，China；2．Jingdezhen Electronic Mechanism＆Electronics333403，Chinaf ScienceandTechnology， Dept．，Jingdezhen 3．Dept．of ResearchCentreforFunctionalCeramicsMOE ofScienceand 430074，China) Engineering HuazhongUniversity Technology，Wuhan deviceshavebeen usedinmiero-electromeehanieal Abstract：Filmmaterialsand widely withthe of and ofelectronicdevices．Butthemeasurement developmentmicromation，highsensitivityintegration thinfilmsare differentfromthoseofbulk methodsfor of materials．Two piezoelectricpropertiespiezoelectric very