用对靶磁控溅射附加低温热氧化处理方法制备相变氧化钒薄膜.pdfVIP

第38卷 第7期 稀有金属材料与工程 V01．38。No．7 2009笠 ENGINEERING 2009 7月 RAREMET札MATERIAI，SAND July 用对靶磁控溅射附加低温热氧化处理 方法制备相变氧化钒薄膜 梁继然，胡 明，刘志刚，韩 雷 (天津大学，天津300072) 摘要：采用直流对靶磁控溅射低价态氧化钒(v02。)薄膜再附加热氧化处理的方式，进行具有金属．半导体相变特性 分、薄膜结晶结构和表面微观形貌进行分析，利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量。结果表明：新制备 的低价态氧化钒薄膜以V203和VO为主，经过300℃低温热氧化处理后，薄膜中出现单斜金红石结构的V02相，薄 膜具有金属．半导体相变特性；薄膜表面颗粒之间存在间隙，利于氧的渗入：在300-320℃进行热处理时，薄膜中的 V：03和VO向单斜结构的V02转变，V02含量增加，随着薄膜内VO：含量的增加，薄膜的金属．半导体相变幅度增大， 超过2个数量级，相变性能变好，但是此热处理温度区间对已获得的V02的结构没有影响。同时利用直流对靶磁控 溅射方法还可以在低氧化温度下获得具有优异金属．半导体相交特性的氧化钒薄膜，制备工艺与微机械电子系统 (MEMS)I艺相兼容。 关键词：相变氧化钒薄膜；低温热氧化；直流对靶磁控溅射 中图法分类号：rN304．055文献标识码：A 文章编号：1002—185X(2009)07—1203-06 V02薄膜具有金属．半导体相变特性[1，2】，相变温钒的制备条件很接近[17】，难以直接制各出具有相变性 度接近室温，在快速光电开关[31、智能窗【41、信息存能的氧化钒薄膜；随着氧化钒VO，中钒价态的增加， 储【5】以及非制冷红外探测器【6】等领域都有广泛的应用 其稳定性逐渐增强，氧化或还原所需的热处理温度也 前景。将氧化钒薄膜成功地应用于上述领域，氧化钒 将随着价态的增加而逐渐增高。低价态氧化钒薄膜制 薄膜及其制备工艺应满足两个基本条件：1)氧化钒薄 备条件宽，热稳定性差，因此，低价态氧化钒薄膜附 膜具有优异的相变特性；2)制备工艺与微机械电子系 加热氧化处理制备的方式可以有效地降低氧化钒薄膜 统(MEMS)I艺相兼容。 的制取温度，同时降低对制备工艺条件的要求，使其 氧化钒薄膜的相变特性受制备工艺条件的影响很 制备工艺易于与MEMS工艺兼容。 大【7】，获得满足上述条件的氧化钒薄膜应该选择合适 本研究采用低价态氧化钒薄膜附加热氧化处理 的制备方法和制备方式。目前用于制备具有相变特性 的方式进行相变特性氧化钒薄膜的制备。首先采用直 氧化钒薄膜的方法有很多种，按照物料的状态可以分 流对靶磁控溅射方法在Si02基底上制备价态低于+4 为气相法和液相法。气相法主要包括蒸发法[8J、磁控 的低价态氧化钒薄膜，然后在有氧的气氛下进行热处 溅射法[91、脉冲激光法[10】和化学气相沉积法[11】等；液理，研究热处理对低价态氧化钒薄膜的组分、结构和 相法主要包括溶胶．凝胶法【12】等。其中气相法应用较为 相变特性的影响。 广泛。在气相法中，磁控溅射法是一种工业应用前景 1 实验 广阔的薄膜制备方法[”】。利用磁控溅射法获得相变特 性氧化钒薄膜的方式有3种：直接制备【141、低价态氧 采用(001)单晶硅作为基底，首先在其表面制备 化钒薄膜附加热氧化处理制备【15】和高价态氧化钒薄 Si02层，然后再制备氧化钒薄膜，最后进行热氧化处 mm×20 膜附加热还原处理制备【l61。钒与氧结合可以形成多种