微量铜铁对硅片表面污染的初步分析.pdf

第26卷第5期 半导体学报 V01．26No．5 CHINESE 0FSEMICONDUCTORS 2005年5月 JOURNAL May，2005 微量铜一铁对硅片表面污染的初步分析* 郑 宣 程 璇+ (厦门大学化学系固体表面物理化学国家重点实验室，厦门361005) 摘要：通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p一型硅片表面的污染，采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及 SEM、EDx和AES等现代表面分析技术，对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究．结果表明，当氢氟酸溶 液中同时含有ppb-水平(。10-9)的铜铁杂质时，不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染，而且还导致硅片表面的碳 污染，并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨 论． 关键词：硅片清洗；金属污染；铜沉积；碳污染 PACC：7340M；8245EEACC：2550E 中图分类号：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)05一0970—07 式沉积到硅片表面．原子型杂质主要影响器件中的 1 引言 少子寿命、表面的导电性、氧化物的完整性和其他器 件稳定性参数，是造成器件失效的主要原因．特别是 随着集成电路由大规模向超大规模(VLSI)和在高温或电场下，它们能够向半导体的本体内扩散 甚大规模(ULSI)发展，电路的集成度日益提高，污或在表面扩大分布，导致器件性能下降，产率降低． 染物对器件的影响也愈加突出，以致于洁净表面的 迄今为止，人们对硅片表面金属污染机理的研 究主要集中在对铜沉积的研究[2~10|，只有少量的研 准备技术已成为制作64和256兆字节DRAM的关 键技术．湿法化学清洗是当今IC制造工艺中使用最 究工作涉及银、铂等贵金属和铁、镍、铬、锌等过渡金 为频繁的步骤，主要包括硅氧化物／氮化物刻蚀、硅 片清洗和化学机械抛光等，在亚微米硅器件的制造 学反应沉积在硅表面，同时硅表面发生溶解反应和 中尤为重要．随着最小特征尺寸的不断减小，即所谓 氢气析出反应： 的单元图形的尺寸日益微化，对半导体硅表面清洁 (1) 度的要求也愈来愈苛刻，提出了“超洁净硅表面”的 2H++2e-一H2 (2) 要求[1]．因而，硅片清洗工艺是否有效将直接影响器 Cu2++2e一—}Cuo (3) 件的性能和可靠性，每一步清洗过程都可能对硅片 通过交流阻抗和直流极化电化学技术[2~4]证实了铜 造成污染，从而导致缺陷形成和器件失效． 在硅表面上的沉积是电化学属性，腐蚀电流密度和 硅片表面的污染物通常以原子、离子、分子、粒 子或膜的形式通过化学或物理吸附的方式存在于硅 片的表面或氧化膜中．原子型杂质主要是指重、贵金 比在n一型硅表面上的沉积严重，添加非离子型表面 属原子(如Cu、Ag、Au、Pt等)，它们主要来自于硅 的酸性刻蚀剂如氢氟酸溶液中，通过电化学还原方 活性剂以及黑暗条件可以大大减少铜在两种硅表面 *国家自然科学基金资助项目(批准号 郑宣男，1980年出生，硕士研究生，研究方向为电化学，主要从事半导体硅片的金属微观污染机理研究． 干通信联系人．Email：xcheng@xmu