3-6nm超薄SiO2栅介质的特性.pdf

第 卷第 期 半 导 体 学 报 22 7 VOl. 22 NO. 7 年 月 2001 7 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS July 2001 ================================================================= 3 6nm 超薄SiO2 栅介质的特性 高文钰 张 兴 田大宇 张大成 王阳元 北京大学微电子学研究所 北京 ( 100871D 摘要 采用栅氧化前硅表面在 中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备出 和 的 : 2 4 / 2 2 3. 2~ 4 6 2 H SO H O nm SiO 超薄栅介质 并研究了其特性 实验结果表明 恒流应力下 和 栅介质发生软击穿现象 随着栅介质减薄 . 3. 2 4nm . 永久击穿电场强度增加 但恒流应力下软击穿电荷下降 软击穿后栅介质低场漏电流无规则增大 研究还表明 用 . . 软击穿电荷分布计算超薄栅介质有效缺陷密度比用永久击穿场强分布计算的要大 在探讨软击穿和永久击穿机理 . 的基础上解释了实验结果. 关键词 超薄栅介质 软击穿 完整性 漏电流 : ; ; ; EEACC : 2550E ; 2530F 中图分类号: TN 386 文献标识码: A 文章编号: 0253-4177(2001D 07-0860-05 的 器件 取得了良好的结果 本文对超薄栅介 MOS . 引言 质的击穿现象 漏电流 缺陷密度和界面态等特性进 1 ~ ~ 行了细致研究. 栅介质的性能好坏直接决定着集成电路的性 能 可靠性以及成品率 当前 特征尺寸为 和 工艺与测试 ~ . 0